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半导体制冷片计算公式

半导体制冷作为一种集合不需要制冷剂、无机械运动部件、无噪音、易于掌握等多种优势的非传统制冷装置，在工程上具有显著的应用价值与潜力，随着材料科学的不断进展，必将对制冷行业的进展供给动力。半导体制冷计算中最重要的问题在于其内参数，即塞贝克系数、傅里叶系数与电阻系数的估量，由于其直接关系到制冷与散热量的计算准确性。本文在推导半导体一维传热方程的根底上，对基于解析与基于试验阅历公式计算内参数的方法进展了比照分析，为不同状况下计算方法的选择供给指导。

引言

半导体制冷是一种基于热电效应的格外规制冷方法，其核心根本原理是塞贝克效应的逆效应，即帕尔贴热效应。采用两种材料不同的半导体相互连接成一个环路，当有直流电流通过这个环路时，在环路的两个节点处分别会消灭吸热与放热的现象。由于在节点两端的吸热放热反响，导致两节点之间温差，进而存在傅里叶导热效应，这种效应的存在是对半导体制冷的一种抑制，因此在材料设计上需要遏制这种温差导热引起的热损失。此外，由于电流与半导体内部电阻的作用，将有一局部焦耳热的产生。于是，在帕尔贴热、傅里叶导热、焦耳热的共同作用下，半导体芯片在宏观上表现出一面吸热一面放热的热泵效应，因此，半导体芯片也被称为

热电热泵芯片。由于半导体制冷所具备独特优势，其已被证

实能够为型建筑围护构造、型辐射制冷系统、型风机等作出奉献。

1、半导体制冷根本方程的推导

大多数关于热电热泵的争论直接将热电制冷制热的掌握方程简洁地理解为帕尔贴热减去一半焦耳热和温差热，其中对于为什么对于冷端和热端的热量计算要减去一半的焦耳热的缘由并没有很好地得到解释与理解。本争论首先将从热电芯片内部PN结导电臂进展微元热量平衡方程动身，经过推导得出热电热泵的掌握方程。以下具体推导过程是以推导热电热泵制冷量为例，制热量的推导过程类似。

对于横截面积为A，电阻率为ρTE，厚度为dx的微元体，

电流强度为I时，其内部的焦耳热qJ通过焦耳定理〔1〕进展计算，而进入该微元体的热流qx与流出微元体的热流qx+dx分别由式〔2〕与〔3〕计算。

将式〔1〕-〔3〕进展化简合并可以得到式〔4〕，这是一维稳态导热掌握方程，其热端边界条件假设为第一类边界条件，温度恒定为Th，冷端温度未知，可承受第三类边界条件，如式〔5〕所示，其中l为电导臂的长度，qc为待求解的冷

端制冷量。

通过对式〔4〕两边同时进展两次对x的积分，会消灭2个待定未知参数〔先假定qc为量〕，通过边界条件的两个方程即可完成求解，得到电导臂内部一维温度分布函数T(x)如式〔6〕所示。

将T(0)=Tc带入式〔6〕即可得到制冷量qc的计算式〔7〕，同理可以推导得到qh的表达式〔8〕。

通过上述具体的推导觉察，原公式中“一半”焦耳热的数值1/2并不是在推导中用将电导臂分为两半而计算得到的，而是在对一维稳态导热微分方程的积分求解中得到的。

2、半导体内参数的两种计算方法

基于解析方法

与光伏电池厂家所供给的组件参数类似，厂家只能为用

户供给在肯定标准状况下的一组简洁性能参数，为了实现热

电热泵的系统建模以及在任意热环境与电力输入状况下的制冷制热性能，必需对所选模块的内参数进展提取，构建完整的热电热泵数学模型。本争论选用的是杭州大和公司生产的单级制冷元件，考虑到系统性能、尺寸与稳定性等因素，选择9500/127/060B型号的热电芯片模块，其出厂参数如表1所示，仅具有最大电流、最大电压、最大冷热端温差以及

最大制冷量，厂家掌握的标准状况是热端温度维持在50℃。

表1热电半导体芯片的厂家参数〔Th=50℃〕

首先将方程式〔7〕中的冷端温度Tc用Th-T代替，利用方程qc=0〔绝热条件〕可以解出冷热端温差表达式〔9〕。

然后在方程式〔9〕对电流I求导后取零值，以求取最大电流值表达式〔10〕，其中参数Z为热电材料的优值系数，Z=2/(RK)。

此外，由热电芯片内的电压V=IR+T，将式〔9〕与〔10〕带入其中可以得到最大电压值Vmax=Th，然后利用以上结果对热电芯片内参数进展反解，可以得到内参数的计算式〔11〕

基于试验拟合公式

通过一些学者的争论觉察，热电芯片内参数本身会随着冷端热温度的变化而转变，在本争论中，为了提高热电芯片制冷制热的计算精度，选择承受文献中通过试验实测得到的三组内参数与冷热端温度的回归函数，如式〔12〕-〔14〕所示，在公式中所承受的是内部热电偶71对，最大工作电流6A的芯片，对于具有其他规格的芯片而言，只需要输入相应的内部热电偶对数N*与最大工作电流I*，以及在表2中供给的函数系数即可对热电芯片内参数做动态计算。

表2热电热泵芯片内参