集成无源器件的半导体芯片及功率放大器器件.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN101847627A

(43)申请公布日2010.09.29

(21)申请号CN201010187213.1

(22)申请日2010.05.31

(71)申请人锐迪科科技有限公司

地址中国香港花园道1号中银大厦22楼

(72)发明人陈俊谢利刚

(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司

代理人丁纪铁

(51)Int.CI

H01L27/01

H01L27/12

H01L23/49

H01L23/52

H03F3/20

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

集成无源器件的半导体芯片及功率

放大器器件

(57)摘要

本发明公开了一种集成无源器件的

半导体芯片，包括高阻衬底、绝缘层和金

属层，所述半导体芯片的上表面设置有至

少一组左右整齐排列的两列键合区，每一

组中同一行的两个键合区通过金属层的走

线直线连接，第一列的每个键合区通过在

基板上方同方向的弧形立体键合线连接到

第二列相邻行的键合区，使得两列所有的

键合区被由金属层走线以及立体键合线组

成的螺旋回路所贯穿，所述螺旋回路的两

端被引出，从而形成一个电感。本发明还

公开了一种功率放大器器件，其中的电感

采用上述集成无源器件的半导体芯片实

现。本发明实现了功率放大器输出阻抗匹

配电路的集成，减少了功率放大器模块封

装中的引脚焊盘数，从而减小射频功率放

大器模块的封装尺寸，降低产品的成本。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种集成无源器件的半导体芯片，其特征在于，包括高阻衬底，所述高阻衬底上

在隔有一层绝缘层之后，包括至少一个金属层，所述半导体芯片的上表面设置有至

少一组左右整齐排列的两列键合区，每一组中同一行的两个键合区通过金属层的走

线直线连接，第一列的每个键合区通过在基板上方同方向的弧形立体键合线连接到

第二列相邻行的键合区，使得两列所有的键合区被由金属层走线以及立体键合线组

成的螺旋回路所贯穿，所述螺旋回路的两端被引出，从而形成一个电感。

2.根据权利要求1所述的集成无源器件的半导体芯片，其特征在于，所述高阻衬底

上设置有多层金属层，并且相邻的金属层之间隔有绝缘层，连接键合区的金属层走

线的图形在各金属层上都有，并且这些走线穿过所述绝缘层而上下连接。

3.根据权利要求2所述的集成无源器件的半导体芯片，其特征在于，所述多层金属

层之间还设置有电容，所述电容以上下两层金属层作为极板，以所述绝缘层作为介

质层。

4.根据权利要求2所述的集成无源器件的半导体芯片，其特征在于，所述金属层之

间的绝缘层的材料为氮化硅。

5.根据权利要求1所述的集成无源器件的半导体芯片，其特征在于，所述高阻衬底

上设置有多个电感，其中相邻的电感的轴向方向相互垂直。

6.据权利要求1所述的集成无源器件的半导体芯片，其特征在于，所述高阻衬底的

材料为高阻硅、玻璃、蓝宝石中的一种，其电阻率大于300ohm·cm。

7.据权利要求1所述的集成无源器件的半导体芯片，其特征在于，所述金属层的材

料为铝、铜或者金。

8.据权利要求1所述的集成无源器件的半导体芯片，其特征在于，所述高阻衬底与

金属层之间的绝缘层的材料为二氧化硅。

9.一种功率放大器器件，包括功率放大器，在功率放大器的输出连接有输出阻抗匹

配电路，所述输出阻抗匹配网络包括从功率放大器输出端到器件输出端依次串联连

接的电感L3、L1和L2，从所述电感L3与L1的连接节点到地之间还串联连接有

电容C1和电感L4，从所述电感L1与L2的连接节点到地之间还串联连接有电容

C2和电感L5，其特征在于，所述电感L1和L2采用如权利要求1～8中任意一项

所述的集成无源器件的半导