高数值孔径多模光纤.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN102203647A

(43)申请公布日2011.09.28

(21)申请号CN200980143700.3

(22)申请日2009.09.23

(71)申请人康宁股份有限公司

地址美国纽约州

(72)发明人R·L·贝内特S·R·别克汉姆P·C·小丹尼斯M-J·李P·J·龙科

(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司

代理人钱慰民

(51)Int.CI

G02B6/028

G02B6/036

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

高数值孔径多模光纤

(57)摘要

本文中公开了抗弯曲多模光纤。本

文中公开的多模光纤包括半径大于30微米

的芯区域(20)和包围且直接毗邻芯区域的

包层区域(30、50、60)，该包层区域包括

折射率下陷的环形部分(50)，其包括下陷

的相对折射率。光纤的总外直径小于120

微米，且表现出在850nm处大于500MHz-

km的满溢带宽。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种多模光纤，包括：

渐变折射率芯，其包括芯折射率德耳塔百分比ΔSub1/Sub，所述芯包括大于

30微米的芯半径；以及

包围所述芯的折射率下陷的包层区域，其包括折射率德耳塔百分比

ΔSub3/Sub，其中ΔSub3/Sub小于约-0.1％且所述下陷区域具有至少1微

米的宽度，其中ΔSub1/Sub＞ΔSub3/Sub，所述光纤包括小于120微米的

总外直径，且所述光纤表现出在850nm处大于500MHz-km的满溢带宽。

2.如权利要求1所述的多模光纤，其特征在于，所述光纤包括玻璃，且还包括外包

层区域，所述外包层区域包括折射率德耳塔ΔSub4/Sub且包围所述折射率下

陷的包层区域。

3.如权利要求1所述的多模光纤，其特征在于，所述折射率下陷的包层区域直接毗

邻所述芯且具有小于约-0.2％的折射率德耳塔和至少2微米的宽度。

4.如权利要求1所述的多模光纤，其特征在于，还包括内包层区域，所述内包层区

域包括ΔSub2/Sub，其中所述内包层区域包围所述芯且所述下陷的包层区域

包围所述内包层区域，其中ΔSub1/Sub＞ΔSub2/Sub＞ΔSub3/Sub，

且所述内包层区域宽度小于4微米。

5.如权利要求1所述的多模光纤，其特征在于，所述芯包括大于35微米的芯半径。

6.如权利要求5所述的多模光纤，其特征在于，所述光纤包括玻璃，所述芯包括小

于45微米的玻璃芯半径，且所述总外玻璃直径小于110微米。

7.如权利要求1所述的多模光纤，其特征在于，所述光纤表现出在850nm处大于

700MHz-km的满溢带宽。

8.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤还表现出在850nm处绕15mm

直径心轴缠绕1匝的衰减增加小于或等于0.5dB/匝。

9.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤还表现出在850nm处绕15mm

直径心轴缠绕1匝的衰减增加小于或等于0.25dB/匝。

10.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤还表现出在850nm处绕

15mm直径心轴缠绕1匝的衰减增加小于或等于0.1dB/匝。

11.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述折射率下陷的环形部分具有小于

10微米的宽度。

12.如权利要求1所述的多模光纤，其特征在于，所述光纤表现出在1300nm处大于

200MHz-km的满溢带宽。

13.如权利要求1所述的多模光纤，其特征在于，所述光纤表现出大于0.2的数值孔

径。

14.如权利要求1所述的多模光纤，其特征在于，所述光纤表现出大于0.24的数值

孔径。

15.如权利要求1所述的