一种基于LTCC陶瓷介质的芯片天线.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN101950857A

(43)申请公布日2011.01.19

(21)申请号CN201010264791.0

(22)申请日2010.08.27

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

(72)发明人肖绍球金大鹏王秉中

(74)专利代理机构电子科技大学专利中心

代理人葛启函

(51)Int.CI

H01Q1/38

H01Q13/08

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种基于LTCC陶瓷介质的芯片天

线

(57)摘要

一种基于LTCC陶瓷介质的芯片天

线，属于天线技术领域。该天线由三层金

属图形层和两层LTCC陶瓷介质层构成，

金属接地板位于第一LTCC陶瓷介质层下

表面，金属微带馈线位于第一LTCC陶瓷

介质层和第二LTCC陶瓷介质层之间，金

属辐射贴片位于第二LTCC陶瓷介质层上

表面。金属辐射贴片中间开有两个“L”形

槽；金属微带馈线末端伸入金属辐射贴片

的两个“L”形槽的正下方，并与一个双“π”

型馈电结构相连；两个短路销钉位于金属

射贴片的两个“L”形槽的垂直段末端，并穿

过第一、二LTCC陶瓷介质层将金属接地

板和金属辐射贴片连在一起。本发明具有

较宽的工作带宽、超低剖面和极小的外

形，同时具有良好的稳定性，能够更好地

和特定功能有源电路进行集成。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种基于LTCC陶瓷介质的芯片天线，包括金属接地板(1)、金属微带馈线(3)、

金属辐射贴片(4)、第一LTCC陶瓷介质层(2)、第二LTCC陶瓷介质层(6)以及两个

短路销钉(5)；金属接地板(1)位于第一LTCC陶瓷介质层(2)整个下表面，金属微带

馈线(3)位于第一LTCC陶瓷介质层(2)和第二LTCC陶瓷介质层(6)之间，金属辐射

贴片(4)位于第二LTCC陶瓷介质层(6)上表面；金属辐射贴片(4)的形状为矩形，中

间关于金属辐射贴片(4)水平中心线对称地开有两个“L”形槽，两个“L”形槽的水平

段相互平行，而垂直段指向远离金属辐射贴片(4)水平中心线的方向；金属微带馈

线(3)的首端位于第一LTCC陶瓷介质层(2)窄边中间位置，其末端伸入金属辐射贴

片(4)的两个“L”形槽的正下方；其末端与一个双“π”型馈电结构相连；所述双“π”型

馈电结构由四条平行于金属微带馈线(3)的微带枝节组成，所述四条平行于金属微

带馈线(3)的微带枝节与一段公用垂直微带线相连，其中两条平行于金属微带馈线(3)

的较长微带枝节和公用垂直微带线组成一个指向金属微带馈线(3)首端的大“π”结构，

另外两条平行于金属微带馈线(3)的较短微带枝节和公用垂直微带线组成一个指向

远离金属微带馈线(3)首端的小“π”结构；所述两个短路销钉(5)位于金属射贴片(4)的

两个“L”形槽的垂直段末端，并穿过第一LTCC陶瓷介质层(2)和第二LTCC陶瓷介

质层(6)，将金属接地板(1)和金属辐射贴片(4)连在一起。

2.根据权利要求1所述的基于LTCC陶瓷介质的芯片天线，其特征在于，所述金属

微带馈线(3)是特征阻抗为50欧姆的微带线；所述双“π”型馈电结构中，四条平行

于金属微带馈线(3)的微带枝节的特征阻抗为50欧姆，公用垂直微带线特征阻抗为

100欧姆。

3.根据权利要求1所述的基于LTCC陶瓷介质的芯片天线，其特征在于，金属接地

板1长14.9mm，宽8mm；第一LTCC陶瓷介质层2长14.9mm、宽8mm、厚

0.8mm；第二LTCC陶瓷介质层6长7.8mm、宽8mm、厚1mm；两层LTCC陶瓷

介质层相对介