具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN102569405A

(43)申请公布日2012.07.11

(21)申请号CN201210015260.7

(22)申请日2012.01.17

(71)申请人清华大学

地址100084北京市海淀区100084-82信箱

(72)发明人崔宁梁仁荣王敬许军

(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人张大威

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管

及其形成方法

(57)摘要

本发明提供一种具有准同轴电缆结

构的隧穿晶体管及其形成方法，该隧穿晶

体管包括：具有第一掺杂类型的半导体衬

底，所述半导体衬底为源区或漏区；形成

在所述半导体衬底上的具有第二掺杂类型

的垂直半导体柱，所述半导体柱为漏区或

源区；形成在所述半导体衬底上、环绕所

述半导体柱侧壁的沟道区；和形成在所述

半导体衬底上、环绕所述沟道区侧壁的栅

结构。根据本发明实施例的隧穿晶体管可

以提高TFET器件的集成度，以及改善

TFET器件的驱动能力。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管，其特征在于，包括：

具有第一掺杂类型的半导体衬底，所述半导体衬底为源区或漏区；

形成在所述半导体衬底上的具有第二掺杂类型的垂直半导体柱，所述半导体柱为漏

区或源区；

形成在所述半导体衬底上、环绕所述半导体柱侧壁的沟道区；和

形成在所述半导体衬底上、环绕所述沟道区侧壁的栅结构。

2.如权利要求1所述的具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管，其特征在于，所述半导

体柱的材料包括：Ge、SiGe、或者III-V族材料。

3.如权利要求1所述的具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管，其特征在于，所述沟道

区为外延形成，所述沟道区的厚度小于10nm。

4.如权利要求1所述的具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管，其特征在于，所述沟道

区的顶部低于所述半导体柱的顶部，所述栅结构的顶部低于或平齐于

所述沟道区的顶部。

5.如权利要求1所述的具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管，其特征在于：

所述半导体柱为P型重掺杂，所述沟道区为P型弱掺杂、N型弱掺杂或者本征，

所述半导体衬底为N型重掺杂；或者

所述半导体柱为N型重掺杂，所述沟道区为N型弱掺杂、P型弱掺杂或者本征，

所述半导体衬底为P型重掺杂。

6.一种具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底，对所述半导体衬底进行第一类型掺杂以形成源区或漏区；

在所述半导体衬底上形成垂直半导体柱，对所述半导体柱进行第二类型掺杂以形成

柱状的漏区或源区；

环绕所述半导体柱的侧壁形成沟道区；

环绕所述沟道区的侧壁形成栅结构。

7.如权利要求6所述的具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管的形成方法，其特征在于，

形成所述垂直半导体柱包括：在所述半导体衬底上生长半导体

纳米线或纳米带，以形成所述垂直半导体柱。

8.如权利要求6所述的具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管的形成方法，其特征在于，

所述半导体柱的材料包括：Ge、SiGe、或者III-V族材料。

9.如权利要求6所述的具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管的形成方法，其特征在于，

形成所述源区、漏区和沟道区包