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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN1996555A
(43)申请公布日2007.07.11
(21)申请号CN200610147533.8
(22)申请日2006.12.19
(71)申请人华东师范大学
地址200062上海市普陀区中山北路3663号
(72)发明人王连卫李金龙徐少辉
(74)专利代理机构上海伯瑞杰知识产权代理有限公司
代理人杜林雪
(51)Int.CI
H01L21/18
H01L31/18
H01L35/34
B81C1/00
G21H1/00
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
一种辐射能量转换芯片的制作方法
(57)摘要
本发明公开了一种辐射能量转换芯
片的制作方法,包括如下步骤:(1)制作具
有一定开口面积比和深度的p-型宏多孔
硅阵列;(2)对硅进行扩磷获得一层浅结;
(3)去除一定厚度的背面硅;(4)在正反面分
别淀积一层金属,金属层厚度在0.3微米
至1微米之间,然后在400℃温度下,退
火5~30分钟,即制得本发明的核电池芯
片。本发明主要的方法就是采用电化学刻
蚀方法,深宽比已经可以达到或超过
150。而将这种工艺应用于核电池中的微孔
阵列的制作,大幅度提高了电池的性能以
及制造的成品率,并且可以大大降低因孔
结构的随机分布而导致的pn结被击穿,从
而破坏整个电池。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1、一种辐射能量转换芯片的制作方法,包括如下步骤:
(1)制作具有一定开口面积比和深度的p-型宏多孔硅阵列:选择电阻率在1~
30Ω·cm的p-型硅片,采用SiOsub2/sub或Sisub3/subNsub4/sub作为
掩模层,用光刻方法在掩模层刻出均匀分布的方形孔结构,孔与孔中心距离在4微
米或更大一些;对所开孔进行刻蚀使所开的窗口变成倒金字塔结构,然后再进行阳
极氧化,阳极氧化的电流强度控制在3~10mA/cmsup2/sup,温度为室温;
(2)对硅进行扩磷获得一层浅结:首先在950℃通过PCIOsub2/sub的分解淀积
磷,再进行快速热退火,一般选取温度为950~1000℃,退火时间为5~20分钟;
(3)去除一定厚度的背面硅:扩磷之后在正面得到有效保护的情况下,采用25wt%
四甲基氢氧化铵在85℃温度下腐蚀3~5分钟,然后用
Hsub2/subSOsub4/sub/Hsub2/subOsub2/sub清洗;
(4)在正反面分别淀积一层金属,金属层厚度在0.3微米至1微米之间,然后在400℃
温度下,退火5~30分钟,即制得本发明的核电池芯片。
2、根据权利要求1所述的一种辐射能量转换芯片的制作方法,其特征在于:(1)步
骤所述的掩模层为SiOsub2/sub,厚度大于等于300nm。
3、根据权利要求1或2任意一项所述的一种辐射能量转换芯片的制作方法,其特
征在于:采用25wt%的四甲基氢氧化铵在85℃下或20wt%KOH在60或70℃下腐
蚀SiOsub2/sub,获得具有倒金字塔排列结构的腐蚀坑。
4、根据权利要求3所述的一种辐射能量转换芯片的制作方法,其特征在于:腐蚀
SiOsub2/sub时可以在刻蚀正面SiOsub2/sub时直接去掉背面
SiOsub2/sub。
5、根据权利要求1或2任意一项所述的一种辐射能量转换芯片的制作方法,其特
征在于:所述阳极氧化采用固定电源电压的方式,硅片的背面与电源的阳极相连接,
且硅片的背面必须是透光的,光照从样品的背面进行。
6、根据权利要求1或2任意一项所述的一种辐射能量转换芯片的制作方法,其特
征在于:采用SiOsub2/sub作为掩模层
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