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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN101236233A
(43)申请公布日2008.08.06
(21)申请号CN200810003653.X
(22)申请日2008.01.17
(71)申请人国际商业机器公司
地址美国纽约
(72)发明人A·J·小格来戈里奇
(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所
代理人于静
(51)Int.CI
G01R31/303
G01R31/265
G01R31/27
G01R31/02
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
用于实施IC器件测试的方法和设
备
(57)摘要
本发明涉及用于实施IC器件测试
的方法和设备。一种用于测试集成电路器
件的方法包括：在施加一个或多个测试信
号期间，使所述集成电路器件经受施加的
磁场，所述施加的磁场在包括所述集成电
路器件的一种或多种材料中诱导磁致伸缩
效应；以及确定归因于所述施加的磁场的
所述集成电路器件内的任何缺陷的存在。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种用于测试集成电路器件的方法，所述方法包括以下步骤：
在施加一个或多个测试信号期间，使所述集成电路器件经受施加的磁场，所述施加
的磁场在包括所述集成电路器件的一种或多种材料中诱导磁致伸缩效应；以及
确定归因于所述施加的磁场的所述集成电路器件内的任何缺陷的存在。
2.根据权利要求1的方法，其中在晶片级测试期间施加所述磁场。
3.根据权利要求1的方法，其中在封装级测试期间施加所述磁场。
4.根据权利要求1的方法，其中使用永久磁体施加所述磁场。
5.根据权利要求1的方法，其中使用电磁体施加所述磁场。
6.根据权利要求1的方法，其中在所述集成电路器件的老化测试期间施加所述磁场。
7.一种用于测试集成电路器件的方法，所述方法包括以下步骤：
在施加一个或多个测试信号期间，使所述集成电路器件经受施加的磁场，所述施加
的磁场在包括所述集成电路器件的一种或多种材料中诱导磁致伸缩效应，其中所述
诱导的磁致伸缩效应电激活下列中的一个或多个：在所述集成电路器件内存在的层
错、位错以及微开裂；
测量选择的特性的改变，所述选择的特性的改变是作为所述施加的磁场的结果的在
所述集成电路器件内的一个或多个基元的选择的特性的改变；
确定归因于所述施加的磁场的所述集成电路器件内的任何缺陷的存在；以及
实施冗余方案以修复所述集成电路器件内的任何确定的缺陷中的一个或多个缺陷。
8.根据权利要求7的方法，其中在晶片级测试期间施加所述磁场。
9.根据权利要求7的方法，其中在封装级测试期间施加所述磁场。
10.根据权利要求7的方法，其中使用永久磁体施加所述磁场。
11.根据权利要求7的方法，其中使用电磁体施加所述磁场。
12.根据权利要求7的方法，其中在所述集成电路器件的老化测试期间施加所述磁
场。
13.根据权利要求7的方法，其中所述集成电路器件内的一个或多个基元的选择的
特性包括存储器存储单元的可变保持时间(VRT)失效。
14.根据权利要求7的方法，其中确定归因于所述施加的磁场的所述集成电路器件
内的任何缺陷的存在包括：分析归因于测量的改变的器件失效概率，所述测量的改
变是作为所述施加的磁场的结果的在所述集成电路器件内的所述一个或多个基元的
所述选择的特性的改变。
15.一种用于测试集成电路器件的设备，包括：
控制器，其被配置为用于向所述集成电路器件提供功率和测试信号；和
磁场源，其被配置为向所述集成电路器件施加磁场，其中配置所述施加的磁场以在
包括所述集成电路器件的一种或多种材料中诱导磁致伸缩效应；以及
其中配置所述控制器以有助于确定归因于所述施加的磁场的所述集成电路器件内的
任何缺陷的存在。
16.根据权利要求15的设备，还包
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