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GB/TXXXXX—XXXX/IEC62951-9:2022
半导体器件柔性可拉伸半导体器件第9部分:一晶体管一电阻式
(1T1R)电阻存储单元性能测试方法
1范围
本文件描述了单极型一晶体管一电阻式(1T1R)电阻存储单元的性能测试方法,包括读、电预处理、
置位、复位、耐久性和保持性。适用于消费级、工业级、军用级以及其他电子应用领域的柔性和刚性电
阻存储器,不受器件的工艺和尺寸限制。
2规范性引用文件
本文件没有规范性引用文件。
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
编程晶体管programmingtransistor
用于放大、限制或改变电信号和电功率的半导体器件。
3.2
源极电压sourcevoltage
S
施加在编程晶体管源极的偏压。
3.3
栅极电压gatevoltage
G
施加在编程晶体管栅极的偏压。
3.4
漏极电压drainvoltage
D
施加在编程晶体管漏极的偏压。
3.5
电阻存储器resistivememory
基于有源层内导电细丝的可逆形成与可逆断裂,分别定义其低阻态与高阻态的双端器件。
3.6
电预处理电压formingvoltage
Form
用于在有源层内部形成初始导电细丝或导电通路的、施加在有源层两端的高电压。
1
GB/TXXXXX—XXXX/IEC62951-9:2022
3.7
低阻态电阻resistanceoflowresistancestate
LRS
存储器件在置位状态时的电阻值。
3.8
高阻态电阻resistanceofhighresistancestate
HRS
存储器件在复位状态时的电阻值。
3.9
跳变点电阻trippointresistance
TRP
位于高阻态电阻和低阻态电阻之间的参考电阻值。
HRSTRPLRS
3.10
阶跃电压stepvoltage
Step
施加在电阻存储器两端的电压逐渐变化时的电压间隔。
3.11
读电压readvoltage
Read
测量电阻存储器电阻值()的特定电压。
R
3.12
读电流readcurrent
Read
用于测量电阻存储器阻值()的,施加读电压()时的特定电流。
RRead
3.13
电阻存储器的电阻resistanceofresistivememory
R
施加读电压Read得到的电阻值,使用以下公式对其进行定义:
Read
=
R
Read
3.14
置位电压SETvoltage
SET
在电预处理过程后,将电阻存储器转换为低阻态(LRS)所需的电压。
3.15
复位电压RESETvoltage
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