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杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。载流子：电子，空穴N型半导体（主要载流子为电子，电子半导体）P型半导体（主要载流子为空穴，空穴半导体）一、N型半导体和P型半导体N型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑）,晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相临的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为施主原子。硅或锗+少量磷?N型半导体N型+5+4+4+4+4+4磷原子自由电子电子为多数载流子空穴为少数载流子载流子数?电子数N型半导体+N型硅表示P型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相临的半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。由于硼原子接受电子，所以称为受主原子。硅或锗+少量硼?P型半导体P型半导体P型+3+4+4+4+4+4硼原子空穴空穴—多子电子—少子载流子数?空穴数P型硅表示杂质对半导体导电性的影响掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响，一些典型的数据如下:T=300K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:n=p=1.4×1010/cm312掺杂后N型半导体中的自由电子浓度:n=5×1016/cm3本征硅的原子浓度:4.96×1022/cm33以上三个浓度基本上依次相差106/cm3。二、杂质半导体的导电作用IIPINI=IP+INN型半导体I?INP型半导体I?IP三、P型、N型半导体的简化图示负离子多数载流子少数载流子正离子多数载流子少数载流子**
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