硅片径向电阻率变化测量方法 编制说明.pdf

1

GB/TXXXXX-XXXX

《硅片径向电阻率变化测量方法》

编制说明（征求意见稿）

一、工作简况

1.标准立项目的和意义

集成电路产业是国家重要的基础性、先导性和战略性产业，半导体材料是集成电路的

基础，是国家重点发展和扶持的产业。本标准适用产品是硅单晶片，属于半导体材料领域，

是《中国制造2025》中强化工业基础能力中的核心关键基础材料领域。单晶硅产品是重

要的半导体材料，可以用于二极管、整流器件、MOS电路、集成电路以及太阳能电池等产

品的生产和深加工制造，其后续产品集成电路和半导体分立器件已广泛应用于各个领域，

在军事电子设备中也占有重要地位。

电阻率是半导体材料的重要参数之一，它与半导体器件的性能有着十分密切的关系，

如晶体管的击穿电压等参数就是直接与硅单晶的电阻率有关。硅片电阻率径向梯度为半导

体材料最基本的参数之一，是衡量硅材料质量的一个重要的参数,它对半导体器件生产的

稳定性、重复性、至器件局部电性能等质量参数指标都有着明显的影响。随着半导体工业

的发展,对硅单晶电阻率不均匀度的要求也越来越高。因此,如何准确获得硅片电阻率径向

变化显得尤为重要，通过本次修订将硅片电阻率径向变化的测试方法进一步完善。

GB/T11073-2007《硅片径向电阻率变化测量方法》，所引用的国内标准GB/T1552《硅、

锗单晶电阻率测定直排四探针法》已经被GB/T1551-2021《硅单晶电阻率的测定-直排四

探针法和直流两探针法》代替，所以原标准需要进行修订，亟待和国内其它标准接轨。

本次修订将原标准引用标准进行修改，并结合生产实际对标准不完善的地方进行全面

梳理，如：原标准中规定的硅片范围已经不适用于生产实际，本次将修改电阻率的适用范

围。

随着半导体硅片技术的迭代升级，12英寸硅片在国内逐渐崛起，而GB/T11073-2007

中关于12英寸硅片的技术参数均没有涉及。

本次修订将适用范围扩大到直径为12英寸的大尺寸硅片,有利于硅片生产企业规范

和统一大尺寸硅单晶片的技术标准，从而有效的保证了硅单晶片的产品质量，有利于促进

12英寸大尺寸硅片在我国半导体行业的快速发展,大幅提升我国半导体材料和集成电路制

造技术水平和竞争力。GB/T11073-2007《硅片径向电阻率变化测量方法》，通过此次修

订，达到与国际标准接轨，实现标准的先进性和实用性。

2任务来源

1

2

GB/TXXXXX-XXXX

根据《国家标准化管理委员会关于下达2023年国家标准复审修订计划的通知》（国

标委发[2023]64号）的要求，由麦斯克电子材料股份有限公司负责国家标准《硅片径向

电阻率变化的测量方法》的修订工作。计划编号为T-610，要求于2025年完

成。

3主要工作过程

3.1起草阶段

本项目在下达计划后，标准编制小组对硅片径向电阻率变化的测量方法、用户要求、

目前设备情况、以及相关SEMI标准等方面的内容进行了充分的调研，结合日常测试实践，

确定了相应的修订内容，于2024年3月完成标准讨论稿，提交到全国半导体设备和材料

标准化技术委员会材料分技术委员会秘书处。

2024年4月6日，由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会组

织，在山东省济南市召开国家标准《硅片径向电阻率变化的测量方法》第一次工作会议（讨

论会），江苏鑫华半导体科技有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、中国电子科技

集团公司第四十六研究所等单位的专家参加了会议。会上，与会专家对标准文本进行了详

细的讨论，并提出了修改意见。根据本次会议的要求，编制组对标准稿件进行了修改和完

善。形成了标准