硅片径向电阻率变化测量方法 编制说明.docx

1

GB/TXXXXX-XXX

《硅片径向电阻率变化测量方法》编制说明（征求意见稿）

一、工作简况

1.标准立项目的和意义

集成电路产业是国家重要的基础性、先导性和战略性产业，半导体材料是集成电路的基础，是国家重点发展和扶持的产业。本标准适用产品是硅单晶片，属于半导体材料领域，是《中国制造2025》中强化工业基础能力中的核心关键基础材料领域。单晶硅产品是重要的半导体材料，可以用于二极管、整流器件、MOS电路、集成电路以及太阳能电池等产品的生产和深加工制造，其后续产品集成电路和半导体分立器件已广泛应用于各个领域，在军事电子设备中也占有重要地位。

电阻率是半导体材料的重要参数之一，它与半导体器件的性能有着十分密切的关系，如晶体管的击穿电压等参数就是直接与硅单晶的电阻率有关。硅片电阻率径向梯度为半导体材料最基本的参数之一，是衡量硅材料质量的一个重要的参数,它对半导体器件生产的稳定性、重复性、至器件局部电性能等质量参数指标都有着明显的影响。随着半导体工业的发展,对硅单晶电阻率不均匀度的要求也越来越高。因此,如何准确获得硅片电阻率径向变化显得尤为重要，通过本次修订将硅片电阻率径向变化的测试方法进一步完善。

GB/T11073-2007《硅片径向电阻率变化测量方法》，所引用的国内标准GB/T1552《硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法》已经被GB/T1551-2021《硅单晶电阻率的测定-直排四探针法和直流两探针法》代替，所以原标准需要进行修订，亟待和国内其它标准接轨。

本次修订将原标准引用标准进行修改，并结合生产实际对标准不完善的地方进行全面梳理，如：原标准中规定的硅片范围已经不适用于生产实际，本次将修改电阻率的适用范围。

随着半导体硅片技术的迭代升级，12英寸硅片在国内逐渐崛起，而GB/T11073-2007中关于12英寸硅片的技术参数均没有涉及。

本次修订将适用范围扩大到直径为12英寸的大尺寸硅片,有利于硅片生产企业规范和统一大尺寸硅单晶片的技术标准，从而有效的保证了硅单晶片的产品质量，有利于促进12英寸大尺寸硅片在我国半导体行业的快速发展,大幅提升我国半导体材料和集成电路制造技术水平和竞争力。GB/T11073-2007《硅片径向电阻率变化测量方法》，通过此次修订，达到与国际标准接轨，实现标准的先进性和实用性。

2任务来源

2

GB/TXXXXX-XXX

根据《国家标准化管理委员会关于下达2023年国家标准复审修订计划的通知》（国标委发[2023]64号）的要求，由麦斯克电子材料股份有限公司负责国家标准《硅片径向电阻率变化的测量方法》的修订工作。计划编号为T-610，要求于2025年完成。

3主要工作过程

3.1起草阶段

本项目在下达计划后，标准编制小组对硅片径向电阻率变化的测量方法、用户要求、目前设备情况、以及相关SEMI标准等方面的内容进行了充分的调研，结合日常测试实践，确定了相应的修订内容，于2024年3月完成标准讨论稿，提交到全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会秘书处。

2024年4月6日，由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会组织，在山东省济南市召开国家标准《硅片径向电阻率变化的测量方法》第一次工作会议（讨论会），江苏鑫华半导体科技有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所等单位的专家参加了会议。会上，与会专家对标准文本进行了详细的讨论，并提出了修改意见。根据本次会议的要求，编制组对标准稿件进行了修改和完善。形成了标准征求意见稿及编制说明（征求意见稿）。

4项目承担单位概况

麦斯克电子材料有限公司成立于1995年，是一家集直拉单晶硅、硅切磨片、硅抛光片以及与之相配套的技术研发、生产、检测为一体的综合性半导体硅材料专业生产企业。公司主要生产4、5、6、8英寸电路级单晶硅抛光片，生产规模大、技术水平先进。产品销往世界各地，为全球性硅抛光片生产企业，国内同行业首家通过了ISO/TS16949质量体系认证，在20多个国家和地区有产品销售和服务。

公司技术和管理团队核心人员均有数十年的行业从业经验，有着丰富的理论和实践经验，主要研发人员具有较强的自主研发和创新能力，研发领域涵盖单晶拉制、硅片切割、腐蚀、背封、抛光、清洗、检测等硅片所有加工工序。公司建有省级企业技术中心，专职研发人员达到86人，其中高级工程师7人，中级工程师50人，硕博士36人。

公司通过智能工厂升级改造，建成国内外领先的数字化大规模集成电路硅基底材料智能制造工厂，使产品技