光学蓝宝石晶体基片的研磨工艺.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN1569396A

(43)申请公布日2005.01.26

(21)申请号C1

(22)申请日2003.07.16

(71)申请人上海新华霞实业有限公司

地址201400上海市沪杭公路2366号(奉贤区境内)

(72)发明人汪开庆

(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司

代理人丁纪铁

(51)Int.CI

B24B1/00

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

光学蓝宝石晶体基片的研磨工艺

(57)摘要

本发明公开了一种光学蓝宝石晶体

基片的研磨工艺，主要包括粗磨、精磨和

抛光等工艺步骤。按照本发明的研磨工艺

获得的蓝宝石晶体基片，一次合格率为大

于98.5％，基片的表面粗糙度小于0.3纳

米，平面度小于5微米，平整平行度为

±0.025毫米，厚薄尺寸公差小于±0.025毫

米。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1、一种光学蓝宝石晶体基片的研磨工艺，依次包括下述工艺步骤：

(1)粗磨：用13-16号金刚砂按照30-50％的比例与水混合作为研磨液，中间采用玻

璃纤维板作元件相互隔离上下研磨，采用一般砂盘作为研磨盘，转速控制在300-

600转/分，上下对磨；

(2)精磨：用2-9号金刚砂按照30-50％的比例与水混合作研磨液，中间采用粗磨相

同的玻璃纤维板作元件的隔离板，转速控制在300-600转/分上下对磨，砂盘和粗

磨用的砂盘相同；

(3)抛光：用金刚石抛光液，抛光盘采用金刚石抛光皮粘于上下研磨盘上，中间隔

离板于粗磨精磨的玻璃纤维板相同，转速控制在350-600转/分，温度控制在25-45℃

之间，在抛光机上完成抛光过程。

说明书

u技术领域/u

本发明涉及一种双面研磨光学级蓝宝石晶体基片的工艺。

u背景技术/u

光学蓝宝石晶体基片用作蓝色发光二极管，是理想的GaN基衬底材料，是半导体

元器件的关键件，目前国内光学级蓝宝石基片研制的一个主要问题是基片的加工，

因为这种基片的外径和厚度之比是100∶0.5以下，正常常规之比是100∶10，尺寸

是φ2″以上(φ2″≈φ50.80mm×0.43mm)，对设备和工艺的要求很高。现有技术的光学

蓝宝石晶体基片的研磨工艺获得的成品的一次合格率低，而且表面粗糙度平面度、

平整平行度、厚薄尺寸公差等都不能很好地适应作为GaN基衬底材料的要求。

u发明内容/u

本发明的目的是提供一种光学级蓝宝石晶体基片的研磨工艺，该工艺不仅可以满足

蓝宝石晶体基片的加工要求，而且工艺简单，能有效降低加工成本。

为实现上述目的，本发明提供的光学蓝宝石晶体基片的研磨依次包括下述工艺步骤：

(1)粗磨：用13-16号金刚砂按照30-50％的比例与水混合作为研磨液，中间采用玻

璃纤维板作元件相互隔离上下研磨，采用一般砂盘作为研磨盘，转速控制在300-

600转/分，上下对磨；

(2)精磨：用2-9号金刚砂按照30-50％的比例与水混合作研磨液，中间采用粗磨相

同的玻璃纤维板作元件的隔离板，转速控制在300-600转/分上下对磨，砂盘和粗

磨用的砂盘相同；

(3)抛光：用金刚石抛光液，抛光盘采用金刚石抛光皮粘于上下研磨盘上，中间隔

离板于粗磨精磨的玻璃纤维板相同，转速控制在350-600转/分，温度控制在25-45℃

之间，在抛光机上完成抛光过程。

按照本发明的研磨工艺获得的蓝宝石晶体基片，一次合格率为大于98.5％，基片的

表面粗糙度小于0.3纳米，平面度小于5微米，平整平行度为±0.025毫米，厚薄尺

寸公差小于±0.025毫米。

mode-for-inventionpu具体实施方式/u

下面