存储器测试方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN104637541A

(43)申请公布日2015.05.20

(21)申请号CN201510096247.2

(22)申请日2015.03.04

(71)申请人上海华岭集成电路技术股份有限公司

地址201203上海市浦东新区张江郭守敬路351号2号楼2楼

(72)发明人罗斌岳小兵王玉龙邵嘉阳郝丹丹季海英

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人周耀君

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

存储器测试方法

(57)摘要

本发明提供了一种存储器测试方

法，包括以下步骤：测量被测存储器存储

单元的扇区擦除时间，找到最小擦除时

间；并用所述最小擦除时间对所述被测存

储器进行擦写性能的测试，且在测试过程

中分阶段测试所述被测存储器的存储数据

电流。减少擦除测试所需要的时间；分阶

段测试所述被测存储器存储单元的存储数

据电流，形成所述存储单元的电流分布

图，当所述被测存储器存储单元的存储数

据电流异常时，则测试失败，立即停止测

试，技术人员可以通过所述电流分布图分

析出测试失败的原因，可以在保障所述被

测存储器的存储单元擦写性能准确性的同

时，缩短擦写性能测试的时间，确定测试

失败的原因，提高测试效率，进而提高产

能。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种存储器测试方法，其特征在于，包括以下步骤：

测量被测存储器存储单元的扇区擦除时间，以找到最小擦除时间；

使用所述最小擦除时间对所述被测存储器进行擦写性能的测试，且在测试

过程中分阶段测试所述被测存储器的存储数据电流。

2.如权利要求1所述的存储器测试方法，其特征在于，采用二分法来测量

所述被测存储器存储单元的扇区擦除时间，以找到所述最小擦除时间。

3.如权利要求2所述的存储器测试方法，其特征在于，所述二分法测量被

测存储器存储单元的扇区擦除时间包括以下步骤：

S11：设定一第一边界值和一第二边界值；

S12：以一第一擦除时间进行擦除测试，所述第一擦除时间为一第一区间的

中间值，所述第一区间的左边界值为所述第一边界值，所述第一区间的右边

界值为第二边界值；

S13：若所述步骤S12擦除测试成功，则将所述第一区间的右边界值修改为

所述步骤S12中的擦除时间，然后重复所述步骤S12和步骤S13，直到找到

最小擦除时间；若所述步骤S12擦除测试失败，则将所述第一

区间的左边界值修改为所述步骤S12中的擦除时间，然后重复所

述步骤S12和步骤S13，直到找到最小擦除时间。

4.如权利要求3所述的存储器测试方法，其特征在于，所述第一边界值为

零，所述第二边界值为所述被测存储器的擦写时间。

5.如权利要求1所述的存储器测试方法，其特征在于，对所述被测存储器

进行擦写性能的测试，且在测试过程中分阶段测试所述被测存储器的存储数

据电流包括以下步骤：

S21：对所述被测存储器进行擦除操作；

S22：对所述被测存储器进行编程操作；

S23：对所述被测存储器进行读操作；

S24：重复所述步骤S21、所述步骤S22以及所述步骤S23，并且在重复的

过程中，分阶段测试所述被测存储器的存储数据电流，直到达到所述被测存

储器的规定擦写次数，或者所述存储数据电流异常。

6.如权利要求5所述的存储器测试方法，其特征在于，分阶段测试