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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN102208405A
(43)申请公布日2011.10.05
(21)申请号CN201010263865.9
(22)申请日2010.08.24
(71)申请人华东师范大学;上海集成电路研发中心有限公司
地址200062上海市中山北路3663号
(72)发明人石艳玲李曦张建军赵宇航王勇
(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人郑玮
(51)Int.CI
H01L27/00
H01F37/00
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
平面螺旋电感
(57)摘要
本发明公开了一种平面螺旋电感，
所述平面螺旋电感包括：半导体衬底；介
质层，形成于所述半导体衬底上；平面螺
旋电感主体，形成于所述介质层上；绝缘
隔离结构，形成于所述半导体衬底中并与
所述平面螺旋电感主体相对应。本发明提
供的平面螺旋电感增加了绝缘隔离结构，
所述绝缘隔离结构可降低平面螺旋电感的
衬底损耗；并且，所述绝缘隔离结构的工
艺与CMOS的前端工艺兼容，可不增加任
何制备成本，提高平面螺旋电感的品质因
子。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
未缴年费专利权终止IPC(主分
类):H01L27/00专利
2023-09-01号:ZL2010102638659申请专利权的终止
日权公告
日
权利要求说明书
1.一种平面螺旋电感，包括：
半导体衬底；
介质层，形成于所述半导体衬底上；
平面螺旋电感主体，形成于所述介质层上；
绝缘隔离结构，形成于半导体衬底中并与所述平面螺旋电感主体相对应。
2.如权利要求1所述的平面螺旋电感，其特征在于，所述平面螺旋电感主体包括：
多圈线圈以及位于所述多圈线圈之间的间隔区域。
3.如权利要求2所述的平面螺旋电感，其特征在于，所述绝缘隔离结构位于平面螺
旋电感主体的下方。
4.如权利要求2所述的平面螺旋电感，其特征在于，所述绝缘隔离结构位于所述间
隔区域的下方。
5.如权利要求2所述的平面螺旋电感，其特征在于，所述绝缘隔离结构位于多圈线
圈的最内圈线圈以内区域下方。
6.如权利要求2所述的平面螺旋电感，其特征在于，所述绝缘隔离结构位于间隔区
域的转角处的下方。
7.如权利要求1所述的平面螺旋电感，其特征在于，所述绝缘隔离结构的材质与所
述介质层的材质相同。
8.如权利要求1所述的平面螺旋电感，其特征在于，所述绝缘隔离结构的材质与所
述介质层的材质不相同。
9.如权利要求7或8所述的平面螺旋电感，其特征在于，所述绝缘隔离结构的材质
为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或其任意组合。
10.如权利要求1或2所述的平面螺旋电感，其特征在于，所述绝缘隔离结构的厚
度为0.01～100微米。
11.如权利要求1或2所述的平面螺旋电感，其特征在于，所述绝缘隔离结构是通
过浅沟槽隔离工艺、深沟槽隔离工艺或干法刻蚀工艺形成的。
说明书
技术领域
本发明涉及集成电路制造领域，具体涉及一种具有绝缘隔离结构的平面螺旋电感。
背景技术
在CMOS射频集成电路(RFIC)的发展中，最为迫切的和最困难的是要发展高性能
的新器件和新的单元电路，它们是实现单片CMOS集成射频前端的基础。平面螺
旋电感作为射频集成电路中的关键元件，是电路中最难设
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