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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN101212012A
(43)申请公布日2008.07.02
(21)申请号CN200610172889.7
(22)申请日2006.12.26
(71)申请人广镓光电股份有限公司
地址中国台湾台中市
(72)发明人李玉柱蔡炯棋蔡宗良林素慧
(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司
代理人王英
(51)Int.CI
H01L33/00
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
具区域性粗化表面的固态发光设备
及其制作方法
(57)摘要
一种具区域性粗化表面的固态发光
设备，包含：基底、形成于基底并依序具
有包含第一型半导体层、有源层及第二型
半导体层的外延膜、形成于第二型半导体
层并含有II族元素及V族元素且具有介于
0.7eV～6.0eV之间的能隙的接触膜、与该
外延膜夹置有该接触膜并具有与该接触膜
连通的通孔的粗化膜、第一接触电极，及
填置于通孔的第二接触电极。第一型半导
体层具有未被有源层与第二型半导体层覆
盖的平坦面。第一接触电极设置于平坦
面。粗化膜具有含有III族及V族元素的粗
化层。本发明也提供前述固态发光设备的
制作方法。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种具区域性粗化表面的固态发光设备，其特征在于包含：
基底；
形成于该基底并沿叠置方向具有依序包含第一型半导体层、有源层及第二型半导体
层的外延膜，该第一型半导体层具有未被该有源层与该第二型半导体层覆盖的平坦
面；
形成于该第二型半导体层并含有II族元素及V族元素的接触膜，其具有介于
0.7eV～6.0eV之间的能隙；
与该外延膜夹置有该接触膜并具有与该接触膜连通的通孔的粗化膜，其具有含有
III族及V族元素的粗化层；
设置于该平坦面的第一接触电极；及
填置于该通孔的第二接触电极。
2.如权利要求1所述的具区域性粗化表面的固态发光设备，其特征在于：
还包含夹置于该第二接触电极与该接触膜之间的反射膜。
3.如权利要求2所述的具区域性粗化表面的固态发光设备，其特征在于：
该反射膜是选自钛、铝、银、金、铬、铂、铜，或此等的组合。
4.如权利要求2所述的具区域性粗化表面的固态发光设备，其特征在于：
该反射膜的厚度介于1nm～100nm之间。
5.如权利要求4所述的具区域性粗化表面的固态发光设备，其特征在于：
该反射膜的厚度介于10nm～80nm之间。
6.如权利要求1所述的具区域性粗化表面的固态发光设备，其特征在于：
该粗化膜还具有叠置于该粗化层的透明传导层，该接触膜的能隙介于0.9eV～
5.4eV之间。
7.如权利要求6所述的具区域性粗化表面的固态发光设备，其特征在于：
该接触膜是由II-V族化合物构成；II族元素是选自锌、铍、镁、钙、锶、钡、镭，
或此等的组合；V族元素是选自氮、磷、砷、锑、铋，或此等的组合。
8.如权利要求7所述的具区域性粗化表面的固态发光设备，其特征在于：
该II-V族化合物由Mgsubx/subNsuby/sub的化学式构成，1≤x≤3，1≤y≤3。
9.如权利要求1所述的具区域性粗化表面的固态发光设备，其特征在于：
该接触膜的厚度介于0.5nm～50nm之间。
10.如权利要求9所述的具区域性粗化表面的固态发光设备，其特征在于：
该接触膜的厚度介于1nm～20nm之间。
11.如权利要求1所述的，其特征在于：
该粗化层的III族元素是选自硼、铝、镓、铟、铊，或此等的组合；该粗化层的V
族元素是选自氮、磷、砷、锑、铋，或此等的组合。
12.如权利要求1所述的具区域性粗化表面的固态发光设备，其特征在于：
该粗化层的平均厚度至少大于50nm。
13.如权利要求12
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