形成由半导体衬底支撑的结构的方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN102037543A

(43)申请公布日2011.04.27

(21)申请号CN200980118153.3

(22)申请日2009.04.23

(71)申请人美光科技公司

地址美国爱达荷州

(72)发明人安东·德维利耶

(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人宋献涛

(51)Int.CI

H01L21/027

G03F7/00

G03F7/20

G03F7/26

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

形成由半导体衬底支撑的结构的方

法

(57)摘要

一些实施例包括形成由半导体衬底

支撑的结构的方法。可在衬底上形成辐射

可成像材料且将其图案化为至少两个经分

离特征。可在所述特征上且跨越所述特征

之间的一个或一个以上间隙形成第二材

料。可从所述特征释放至少一种物质且将

其用以变更所述第二材料的一部分。可相

对于所述第二材料的未经变更的另一部分

而选择性地移除所述第二材料的所述经变

更部分。又，可相对于所述第二材料的所

述经变更部分而选择性地移除辐射可成像

材料的所述特征。所述第二材料可含有分

散于有机组合物中的一种或一种以上无机

组份。从辐射可成像材料的所述特征释放

的所述物质可为在此有机组合物内形成交

联的酸、羟基或任何其它合适物质。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种形成结构的方法，其包含：

在半导体衬底上形成辐射可成像材料；

将所述辐射可成像材料光刻图案化为至少两个经分离特征；所述经分离特征之间具

有一个或一个以上间隙；

在所述至少两个经分离特征上且跨越所述至少两个经分离特征之间的所述一个或一

个以上间隙形成第二材料；

烘烤在其上具有所述第二材料的所述特征以释放变更所述第二材料的至少一种物质；

未经变更第二材料相对于所述经变更第二材料可选择性地移除，且所述特征相对于

所述经变更材料可选择性地移除；所述烘烤将所述至少一种物质从所述特征转移至

所述第二材料的接近于所述特征的区中以变更所述区，同时留下所述第二材料的其

它区未经变更；

相对于所述第二材料的所述经变更区而选择性地移除所述第二材料的所述未经变更

区；以及

相对于所述第二材料的所述经变更区而选择性地移除所述特征以留下所述第二材料

的所述经变更区的至少一个结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二材料包含分散于有机组合物中的一种

或一种以上无机组份，所述有机组合物在暴露至酸后即为可交联的，其中从所述特

征释放的所述至少一种物质包括酸，且其中所述区的所述变更包含在暴露至从所述

特征释放的所述酸后即在所述有机组合物内形成交联。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述一种或一种以上无机组份包括硅。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述一种或一种以上无机组份至少包括金属。

5.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第二材料包含混合物，所述混合物包括分散于有机组合物中的一种或一种以上

组份，所述有机组合物在暴露至酸后即为可交联的；

从所述特征释放的所述至少一种物质包括酸；

所述区的所述变更包含在暴露至从所述特征释放的所述酸后即在所述有机组合物内

形成交联；且

所述一种或一种以上组份包括钛、碳、氟、溴、硅及锗中的一者或一者以上。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体衬底包含基底半导体材料及在所述

基底半导体材料上的一种或一种以上材料；且所述方法进一步包含在进入所述一种

或一种以上材料中的至少一者的蚀刻期间利用所述第二材料的所述经变更区的所述

至少一个结构作为掩模。

7.一种形成由半导体衬底支撑的结构的方法，其包含：

在半导体衬底上形成至少两个经分离光致抗蚀剂特征；

在所述至少两个光致抗蚀剂特征上且跨越所述至少两个光致抗蚀剂特征之间