半导体装置及防止去除光阻期间损坏抗反射结构的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN1577740A

(43)申请公布日2005.02.09

(21)申请号CN200410069015.X

(22)申请日2004.07.12

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司

地址台湾省新竹科学工业园区

(72)发明人包天一章勋明

(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司

代理人王一斌

(51)Int.CI

H01L21/027

H01L21/314

H01L21/471

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

半导体装置及防止去除光阻期间损

坏抗反射结构的方法

(57)摘要

本发明揭示一种防止去除光阻期间

损坏抗反射结构的方法。首先，在一抗反

射结构上方原位(in－situ)形成一不含氮的

氧化硅层以作为一保护层，其折射率在1.4

到1.7的范围且消光系数在0到0.5的范

围。接着，在不含氮的氧化硅层上方形成

一光阻图案层。最后，藉由含氧电浆去除

光阻图案层。本发明亦揭示一种半导体装

置，适用于防止去除光阻期间损坏抗反射

结构。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种防止去除光阻期间损坏抗反射结构的方法，包括下列步骤：

在该抗反射结构上方形成一不含氮的氧化硅层以作为一保护层，且其折射率在1.4

到1.7的范围；

在该不含氮的氧化硅层上方形成一光阻图案层；以及

去除该光阻图案层。

2.根据权利要求1所述的防止去除光阻期间损坏抗反射结构的方法，其中该抗反射

结构不含氮。

3.根据权利要求1所述的防止去除光阻期间损坏抗反射结构的方法，其中该不含氮

的氧化硅层的消光系数在0到0.5的范围。

4.根据权利要求3所述的防止去除光阻期间损坏抗反射结构的方法，其中该不含氮

的氧化硅层系一二氧化硅层或一碳氧化硅层。

5.一种防止去除光阻期间损坏抗反射结构的方法，包括下列步骤：

在一不含氮的介电抗反射结构上方原位形成一不含氮的氧化硅层以作为一保护层，

且该保护层的折射率在1.4到1.7的范围且消光系数在0到0.5的范围；

在该不含氮的氧化硅层上方形成一光阻图案层；以及

去除该光阻图案层。

6.根据权利要求5所述的防止去除光阻期间损坏抗反射结构的方法，其中该不含氮

的氧化硅层是一二氧化硅层或一碳氧化硅层。

7.一种半导体装置，适用于防止去除光阻期间损坏抗反射结构，包括：

一不含氮的介电抗反射结构，设置于一基底上方；以及

一不含氮的氧化硅层，设置于该不含氮的介电抗反射结构上方，用以作为一保护层，

且其折射率在1.4到1.7的范围。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中该不含氮的氧化硅层的消光系数在0到

0.5的范围。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中该不含氮的氧化硅层是一二氧化硅层或

一碳氧化硅层。

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中该不含氮的氧化硅层的厚度在10到

500埃的范围。

说明书

u技术领域/u

本发明是关于一种微影制程，特别是有关于一种半导体装置及防止去除光阻期间损

坏抗反射结构的方法。

u背景技术/u

一般而言，微影制程是用以在一如硅芯片的半导体基底上方形成一预定的电路图案，

或是在制程期间形成预定的电路图案于半导体基底上的特定层上方。典型的微影制

程是将一可触发光化学反应的光阻材料涂覆于基底上。之后，实施一软烤

(softbaking)步骤以去除光阻材料中的溶剂。接着，对光阻材料实施曝光及显影程

序以在基底上方形成具有预定图形尺寸的光阻层。此图案化的光阻层是作为一蚀刻

罩幕以选择性蚀刻该半导体基底或是形成于其上方的特定层。若为影制程之后所形

成的图案不正确，例如关