射频平面螺旋集成电感的加工方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN1601695A

(43)申请公布日2005.03.30

(21)申请号CN200410009629.9

(22)申请日2004.09.30

(71)申请人北京大学

地址100871北京市海淀区颐和园路5号

(72)发明人杨利张国艳廖怀林周毅刘军华延涛宋睿丰黄如张兴

(74)专利代理机构北京君尚知识产权代理事务所

代理人邵可声

(51)Int.CI

H01L21/02

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

射频平面螺旋集成电感的加工方法

(57)摘要

本发明公开了一种射频平面螺旋集

成电感的加工方法，包括，在制作完的电

感的硅片的正面引出电极引线，并将其整

体用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封，

背面的胶带上留有小孔；将制好的电感固

定于腐蚀槽中的硅片支架上，将所述硅片

上的电极引线接腐蚀电路的阳极，用金属

Pt片作腐蚀电路的阴极；向腐蚀槽中加入

HF酸、乙醇和水的混合液，溶液的摩尔比

为HF∶C

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

Claim1、一种射频平面螺旋集成电感的加工方法，包括以下步骤，

1)在制作完的电感的硅片的正面引出电极引线，并将其整体用防HF酸腐蚀的绝缘

胶带双面密封，背面的胶带上留有小孔，即是要腐蚀的区域；

2)将步骤1)中制好的电感固定于腐蚀槽中的硅片支架上，将所述硅片上的电极引线

接腐蚀电路的阳极，用金属Pt片作腐蚀电路的阴极；

3)向腐蚀槽中加入HF酸、乙醇和水的混合液，溶液的摩尔比为

HF∶CSub2/SubHSub5/SubOH∶HSub2/SubO＝1∶1∶2；

4)开通腐蚀电路，并使待腐蚀硅片的电流密度保持在5～50mA/cmSup2/Sup范

围内，腐蚀时间3～5小时；

5)将加工后的硅片清洗，去除防酸胶带并临界干燥处理，经测试封装后即可使用。

Claim2、如权利要求1所述的射频平面螺旋集成电感的加工方法，其特征在于，

该方法的步骤4)和5)之间还包括，

硅片腐蚀停止后，将腐蚀液倒出；向腐蚀槽中加入与步骤3)中相同体积的浓度为3％

的HSub2/SubOSub2/Sub，通电10分钟；

倒出HSub2/SubOSub2/Sub，用去离子水冲洗腐蚀槽及硅片与腐蚀槽接触

部分。

Claim3、如权利要求1所述的射频平面螺旋集成电感的加工方法，其特征在于，

所述硅片上的电极引线由所述硅片pSup+/Sup层引出。

Claim4、如权利要求1所述的射频平面螺旋集成电感的加工方法，其特征在于，

所述腐蚀槽由聚四氟乙烯制成。

Claim5、如权利要求1至4中任一权利要求所述的射频平面螺旋集成电感的加工

方法，其特征在于，所述集成电感具体由以下方法值得：

1)清洗用于制造所述集成电感的原始硅衬底；

2)将步骤1)中的硅衬底依次制作高浓度磷掺杂PSup+/Sup层、硅片氧化和淀积

SiSub3/SubNSub4/Sub保护层；

3)将步骤2)处理后的硅衬底再经过淀积SiOSub2/Sub、制备接触孔、溅射金属

制作引线、淀积SiOSub2/Sub介质层、刻蚀通孔、制作电感线圈和连接压焊块，

完成电感的制造。

Claim6、如权利要求5所述的射频平面螺旋集成电感的加工方法，其特征在于，

所述电极引线为铝线。

说明书

技术领域

本发明涉及一种射频平面螺旋集成电感的加工方法。

背景技术

在过去的十多年中，寻呼机、无绳电话、模拟及数字蜂窝电话等个人无线通信系统

以及数字电视、广播得到了迅猛发展，无线通信成为继PC产业之后最重要的产业。

由于集成电路具有体积小、功耗低、成本低