半导体制造装置的保养时期判断方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN1854715A

(43)申请公布日2006.11.01

(21)申请号CN200510084697.6

(22)申请日2000.08.31

(71)申请人株式会社上睦可;大阳日酸株式会社

地址日本东京都

(72)发明人长谷川博之山冈智则石原良夫增崎宏佐藤贵之铃木克昌德永裕树

(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司

代理人梁永

(51)Int.CI

G01N21/39

C23C16/00

H01L21/205

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

半导体制造装置的保养时期判断方

法

(57)摘要

为了能高效率地进行保养后的净化

处理，同时能可靠地知道净化处理的结

束，缩短净化处理所需要的时间，进行

CVD装置的恢复，在保养后的加热流通净

化处理时，把混合了热传导系数高的气体

和惰性气体的气体作为净化气体来使用。

在半导体膜形成前的净化处理中，多次重

复进行抽真空和惰性气体的导入。此外，

为了判断在反应室内进行腐蚀性气体处理

的半导体制造装置的适当保养时期，按照

重复进行腐蚀性气体处理时的水分浓度的

变化来决定所述腐蚀性气体的保养时期。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

Claim1.一种半导体制造装置的保养时期判断方法，其中，判断在反应室(1)内进

行腐蚀性气体处理的半导体制造装置的保养时期，其特征在于，在进行所述腐蚀性

气体处理时，用与所述反应室(1)连接的水分计(5)来监测反应室(1)内的水分浓度，

根据重复进行腐蚀性气体处理时的所述水分浓度的变化来决定所述保养时期。

Claim2.如权利要求1所述的半导体制造装置的保养时期判断方法，其特征在于，

根据所述水分浓度的变化，算出所述反应室(1)内进入的来自上次保养的水分的累

计量，按照该累计量来决定所述保养时期。

Claim3.如权利要求2所述的半导体制造装置的保养时期判断方法，其特征在于，

在进行所述腐蚀性气体处理时，用与所述反应室(1)连接的压力计(7)来监测反应室

(1)内的压力，根据重复进行腐蚀性气体处理时的所述压力变化和所述水分的累计

量来决定所述保养时期。

Claim4.如权利要求1所述的半导体制造装置的保养时期判断方法，其特征在于，

所述水分计(5)是激光水分计，该水分计测定使激光入射到与所述反应室(1)连接的

管状单元本体(19)内而透过的激光的激光吸收光谱。

说明书

p本申请是申请日为2000年8月31日、分案提交日为2003年10月17日、申请

号为200310102823.7、发明名称为“化学汽相淀积装置的净化方法”的发明专利申请

的分案申请；该200310102823.7号申请又是申请日为2000年8月31日、申请号

为X、发明名称为“化学汽相淀积装置及其净化方法和半导体制造装置”

的发明专利申请的分案申请。/p技术领域

本发明方面涉及CVD(化学汽相淀积)装置和其净化方法，特别涉及可以缩短在进

行了保养后的净化处理方面所需时间的CVD装置的结构和其净化方法。

此外，本发明涉及使用腐蚀性气体例如在反应室内配置的硅基片上进行外延生长等

时，监测处理中的腐蚀性气体所包含的水分的水分监视装置和备有该装置的半导体

制造装置及半导体制造装置的保养时期判断方法。

背景技术

CVD装置是通过使导入反应室(反应器)内的半导体材料气体在基片(晶片)上进行化

学反应，在晶片上生长半导体膜的装置。但是，由于在原理上不能使所有材料气体

在晶片上反应，所以在反应器内壁面各处会付着副生长物。由于这种副生长物作为

微粒等在膜生长时产生影