材料合成与制备的基本途径课件.pptVIP

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材料合成与制备的基本途径1.基于液相—固相转变的材料制备E2.基于固相-固相转变的材料制备E3.基于气相—固相转变的材料制备

1.基于液相—固相转变的材料制备基于液相—固相转变的材料制备一般可分为两类:(1)是从熔体出发,通过降温固化得到固相材料,如果条件适合并且降温速率足够慢可以得到单晶体,如果采用快冷技术可以制备非晶(玻璃态)材料;(2)从溶液出发,在溶液中合成新材料或有溶液参与合成新材料,再经固化得到固相材料。1.1从熔体制备单晶材料?Singlecrystal:atomsareinarepeatingorperiodicarrayovertheentireextentofthematerial?Polycrystallinematerial:comprisedofmanysmallcrystalsorgrains.Thegrainshavedifferentcrystallographicorientation.Thereexistatomicmismatchwithintheregionswheregrainsmeet.Theseregionsarecalledgrainboundaries.

单晶材料BasicCharacteristicofCrystalsHomogeneity??Undermacroscopic均一性observation,thephysicseffectandchemicalcompositionofacrystalarethe同质性same.Anisotropy??Physicalpropertiesof各向异性acrystaldifferaccordingtothedirectionofmeasurement.

单晶材料的制备必须排除对材料性能有害的杂质原子和晶体缺陷。低杂质含量、结晶完美的单晶材料多由熔体生长得到。(1)从熔体中结晶当温度低于熔点时,晶体开始析出,也就是说,只有当熔体过冷却时晶体才能发生。如水在温度低于零摄氏度时结晶成冰;金属熔体冷却到熔点以下结晶成金属晶体。(2)从熔体中结晶当溶液达到过饱和时,才能析出晶体。其方式有:–1)温度降低,如岩浆期后的热桩越远离岩浆源则温度将渐次降低,各种矿物晶体陆续析出.–2)水分蒸发,如天然盐湖卤水蒸发,盐类矿物结晶出来.–3)通过化学反应,生成难溶物质。NonlinearOpticalCrystal(LiBO)ScintillatingCrystal(HgI).ScintillatingCrystal(BiGeO)123543

直拉法(Czochralski法)特点:所生长的晶体的质量高,速度快。熔体置于坩埚中,一块小单晶,称为籽晶,与拉杆相连,并被置于熔体的液面处。加热器使单晶炉内的温场保证坩埚以及熔体的温度保持在材料的熔点以上,籽晶的温度在熔点以下,而液体和籽晶的固液界面处的温度恰好是材料的熔点。随着拉杆的缓缓拉伸(典型速率约为每分钟几毫米),熔体不断在固液界面处结晶,并保持了籽晶的结晶学取向。直拉法单晶生长示意图1:籽晶;2:熔体;3、4:加热器为了保持熔体的均匀和固液界面处高压惰性气体(如Ar)常被通入单晶炉中防止污染并抑制易挥发元素的逃逸.温度的稳定,籽晶和坩埚通常沿相反的方向旋转(转速约为每分钟数十转).

坩埚下降法(定向凝固法)基本原理:使装有熔体的坩埚缓慢通过具有一定温度梯度的温场。开始时整个物料都处于熔融状态,当坩埚下降通过熔点时,熔体结晶,随着坩埚的移动,固液界面不断沿着坩埚平移,直至熔体全部结晶。使用此方法,首先成核的是几个微晶,可使用籽晶控制晶体的生长。坩埚下降法单晶生长装置和温场示意图1:容器;2:熔体;3:晶体;4:加热器;5:下降装置;6:热电偶;7:热屏

区熔法沿坩埚的温场有一个峰值,在这个峰值附近很小的范围内温度高于材料的熔点。这样的温场由环形加热器来实现。在多晶棒的一端放置籽晶,将籽晶附近原料熔化后,加热器向远离仔晶方向移动,熔体即在籽晶基础上结晶。加热器不断移动,将全部原料熔化、结晶,即完成晶体生长过程。悬浮区熔法不用容器,污染较小,但不易得到大尺寸晶体。利用溶质分凝原理,区熔法还被用来提纯单晶材料,多次区熔提纯后使晶体中的杂质聚集在材料的一端而达到在材料的其他部分提纯的目的。水平和悬浮区熔法单晶生长示意图1:仔晶;2:晶体;3:加热器;4:熔体;5:料棒;6:料舟

液相外延(LPE)选择合适的衬底,可以从熔体中得到单晶薄膜。料舟中装有待沉积的熔体,移动料舟经过单晶衬底时,缓慢冷却在衬底表面成核,外延生长为单晶薄膜。

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