晶体三极管解析课件.pptVIP

晶体三极管解析课件.ppt

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2.3晶体三极管称晶体管、三极管、BJT。是子路中的主要放大器件2.3.1晶体三极管构、符号、型及用是通一定的工将两个PN合在一起的器件。按照构可分NPN和PNP型。

(1)NPN型射区比集区度大,其面比集区小。

(2)PNP型射区的度高,基区很薄且度低,集的面大,度更低,保晶体管具有流放大作用。

(3)三极管的外形

晶体管的分:①依据制造材料的不同,晶体管分管与硅管两,其特性大同小异,硅管受温度影响小。工作定;②依据晶体管内部基本构,分NPN型和PNP型两;③依据工作率不同,大致可分高管和低管等;④依据用途的不同,分放大管和开关管;⑤依据功率不同,分小功率管、中功率管和大功率管。

2.3.2晶体三极管的流分配及放大作用1.三极管于放大状的工作条件内部条件:射区度大于基区度,同基区厚度要很小外部条件:射正向偏置,集反向偏置(基极一定于中位)例PNP管NPN管

2.三极管在路中的接方式三极管在使用,通常两个极作入端,两个极作出端,必然有一个极是公共极。根据公共极,可以将三极管在放大路中的接方式分三种,也称三种。?共射极接方式?共集极接方式?共基极接方式

(1)共射极接方式入端:b、e出端:c、e共用极:e入端和端流:V、I出端和端流:V、IBCBECE

(2)共集极接方式入端:b、c出端:e、c共用极:c入端和端流:V、I出端和端流:V、IBEBCEC

(3)共基极接方式入端:e、b出端:c、b共用极:b入端和端流:V、I出端和端流:V、IECEBCB

3.三极管中的流分配及放大作用(1)BJT内部流子的程BJT正常工作的条件:射加正向(正向偏置),集加反向(反向偏置)。

(a)射区向基区注入子IE射外加正向,以散流主:

(b)子在基区中的散与复合ICN散到基区的子有两个去向:?大部分漂移到集区??形成流ICN?使基区?少部分和基区空穴复合??被基极所接外加正向拉走??形成流IB

(c)集区收集子ICIB集外加反向,以漂移流主:?基区自身的子向集区漂移?集区的空穴向基区漂移两者形成反向和流ICBO。

BJT中的流分配关系

(2)流放大系数(a)流控制作用三个极流之足一定的比例分配关系,一个极流生改,另两个流都会生化,因此可流控制和放大作用

几点:(1)晶体三极管由P型和N型两种半体合而成,空穴和子两种流子参与,称双极型晶体管。(2)欲使晶体管有放大作用,必保使射正偏,集反偏。(3)晶体管各极流分配关系:IEBC=I+I(4)I=I且I<<I,明晶体管基极流集CBBC极流具有控制作用。——双极型三极管具有流放大作用。

2.3.3晶体三极管的伏安特性与等效路BJT的特性曲是指端流与端之的关系曲,根据入端和出端分入特性曲和出特性曲。共射极路的特性曲1.入特性入特性是指当v某一常数,i与v之CEBBE的关系曲。

vCE=0,相当于两个二极管并,此的入特性曲和普通二极管的伏安特性曲相似

v=v+vCECBBEv≥1V:v=v-v0,集已入反偏状CECBCEBE,开始收集子,子在基区的复合减少,iB?、i?,特性曲将向右稍微移一些。C随着v增加,曲移不大,主要是v≥1V后,CECEc区已将来自e区的子大部分吸引走。

2.出特性出特性是指当i一定的情况下,i与v之的关BCCE系曲。

vCE小,i随v增加迅速上升CCEvCE小,集没有反偏或反偏小,集区收集子的能力弱,只要v稍稍增加,c区CE收集子的能力将明上升,因此i上升大C

vCE大,特性曲入与v基本平行的区域CE当集反偏大,散到基区的子基本上都可以被集区收集,此后v再增加,流也没CE有明的增加,故特性曲与v基本平C行E

BJT出特性曲的三个工作区v=v-vCBCEBE(1)和区

(2)截止区

(3)放大区

2.3.4BJT的主要参数1主要性能参数(1)流放大系数?共射极接方式

(2)反向和流?集极-基极反向和流ICBOICBO表示射极开路,c、b极外加反向的反向流。它和个PN的反向流是一的,大小?A量。

?集极-射极反向和流ICEOICEO表示基极开路,c、e极外加反向的集极流。大小?A量ICEO从集区穿基区流至射区,所以又叫穿透流。流和的PN反向流不同。

2极限参数极限参数是指了保晶体管在放大路中能正常、安全地工作而不能逾越的参数。?集极最大允流ICM?集极最大允功率耗PCM反向穿?w集极开路射极-基极的反向穿V(BR)EBOw射极开路集极-基极的反向穿V(BR)CBOw基极开路集极-射极的反向穿V(BR)CEO

BJT安全工作区示意

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