半导体器件_原创精品文档.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN1881619A

(43)申请公布日2006.12.20

(21)申请号CN200610100301.7

(22)申请日1999.11.25

(71)申请人株式会社半导体能源研究所

地址日本神奈川县厚木市

(72)发明人山崎舜平

(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司

代理人张志醒

(51)Int.CI

H01L29/786

H01L29/423

H01L27/12

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

半导体器件

(57)摘要

为了实现更高可靠性TFT和高可靠

性半导体器件，本发明的NTFT在半导体

层中具有沟道形成区、n型第一、第二和

第三杂质区。第二杂质区是与栅极的锥部

交叠的低浓度杂质区且栅绝缘膜置于第二

杂质区与栅极之间，并且第二杂质区的杂

质浓度从沟道形成区向第一杂质区逐渐增

高。而且，第三杂质区是不与栅极交叠的

低浓度杂质区。另外，相同衬底上的多个

NTFTs应该分别具有不同的第二杂质区长

度，这取决于工作电压的差别。即，当第

二TFT的工作电压高于第一TFT的工作电

压时，在第二TFT上的第二杂质区的长度

比在第一TFT上的长。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种半导体器件，包括：

形成在具有绝缘表面的衬底上的半导体层，该半导体层包含至少一个沟道形成区、

源区和漏区、以及处于源区或漏区与沟道形成区之间的至少一个杂质区；和

形成在所述半导体层上的栅极，其中在所述栅极和所述半导体层之间配置了栅绝缘

膜；

其中只有所述杂质区的一部分与所述栅极的一部分重叠，和

其中所述栅极的重叠部分的厚度比所述栅极的处在所述沟道形成区上的部分的厚度

薄。

2.根据权利要求1的器件，其中在所述栅极一侧和所述栅极绝缘膜之间形成的角度

为3°到40°。

3.根据权利要求1的器件，其中所述杂质区、所述源区和所述漏区包含元素周期表

第15族中的一种元素作为杂质元素。

4.根据权利要求1的器件，其中所述半导体器件为电致发光显示器件。

5.一种电子设备，其中所述电子设备使用根据权利要求1的半导体器件。

6.根据权利要求5的电子设备，其中所述电子设备选自：视频摄像机，数字摄像机，

投影仪，投影式电视机，防护镜式显示器，头上安装型显示器，交通工具的导航系

统，放音器件，笔记本型个人计算机，游戏设备，便携式信息终端，可移动式计算

机，蜂窝式电话，手提游戏装置，电子笔记本，和配有记录介质的成像器件。

7.一种半导体器件，包括：

形成在具有绝缘表面的衬底上的半导体层，该半导体层包含至少一个沟道形成区、

源区和漏区、以及处于源区或漏区与沟道形成区之间的至少一个杂质区；和

形成在所述半导体层上的栅极，其中在所述栅极和所述半导体层之间配置了栅绝缘

膜；

其中只有所述杂质区的一部分与所述栅极的一部分重叠，和

其中所述栅极与所述杂质区重叠的部分是所述栅极的一个锥形部分。

8.根据权利要求7的器件，其中所述栅极一侧和所述栅极绝缘膜之间形成的角度为

3°到40°。

9.根据权利要求7的器件，其中所述杂质区、所述源区和所述漏区包含元素周期表

第15族中的一种元素作为杂质元素。

10.根据权利要求7的器件，其中所述半导体器件为电致发光显示器件。

11.一种电子设备，其中所述电子设备使用根据权利要求7的半导体器件。

12.根据权利要求11的电子设备，其中所述电子设备选自：视频摄像机，数字摄像

机，投影仪，投影式电视机，防护镜式显示器，头上安装型显示器，交通工具的导

航系统，放音器件，笔记本型个人计算机，游戏设备，便携式信息终端，可移动式

计算机，蜂窝式电话，手提游戏装置，电子笔记本，和配有记录介质的成像器件。

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