双镶嵌结构、内连结构及其制造方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN1881558A

(43)申请公布日2006.12.20

(21)申请号CN200610091523.7

(22)申请日2006.06.06

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司

地址中国台湾新竹市

(72)发明人卢永诚蔡明兴

(74)专利代理机构隆天国际知识产权代理有限公司

代理人陈晨

(51)Int.CI

H01L21/768

H01L23/522

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

双镶嵌结构、内连结构及其制造方

法

(57)摘要

本发明关于一种内连结构及其制造

方法，上述内连结构包括：基底，其内设

置有导电构件；复合低介电常数介电层，

位于该基底上，其内设置有至少一个应力

调和层；以及导电物，位于该复合低介电

常数介电层内，通过该应力调和层并电连

接于该导电构件。本发明亦关于一种双镶

嵌结构。本发明调和了内连结构的整体应

力，避免了可能发生于如双镶嵌结构的内

连结构内的不良情形，可得到较佳可靠度

的内连结构；另外，内连结构的导电物的

顶面可通过导电上盖层所包覆以减少蚀刻

停止层的使用，因而可确保内连结构的如

电致迁移的可靠度表现。另外，不采用有

蚀刻停止层的内连结构制造工艺可更为简

化且降低其制造成本。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种内连结构的制造方法，包括下列步骤：

提供基底，其内设置有导电构件；

在该基底上形成复合低介电常数介电层，其内设置有至少一个应力调和层；

在该复合低介电常数介电层内形成开口，该开口通过该应力调和层并露出该导电构

件的一部分；以及

在该开口内填入导电材料，形成电连接于该导电构件的导电物。

2.如权利要求1所述的内连结构的制造方法，其中形成设置有至少一个应力调和层

的该复合低介电常数介电层的方法还包括下列步骤：

(a)、在该基底上形成第一低介电常数介电层；

(b)、在该第一低介电常数介电层上形成应力调和层；以及

(c)、在该应力调和层上形成第二低介电常数介电层。

3.如权利要求2所述的内连结构的制造方法，还包括重复步骤(a)-(c)至少一次的步

骤，以形成设置有多个应力调和层的该复合低介电常数介电层。

4.如权利要求2所述的内连结构的制造方法，其中该第一与该第二低介电常数介电

层具有拉应力，而该第一应力调和层具有压应力。

5.如权利要求2所述的内连结构的制造方法，其中所述步骤(a)-(c)为临场地通过等

离子体加强型化学气相沉积法所形成。

6.一种内连结构，包括：

基底，其内设置有导电构件；

复合低介电常数介电层，位于该基底上，其内设置有至少一个应力调和层；以及

导电物，位于该复合低介电常数介电层内，通过该应力调和层并电连接于该导电构

件。

7.如权利要求6所述的内连结构，其中该复合低介电常数介电层包括多个具有拉应

力的低介电常数介电部，以及设置于该低介电常数介电部间的具有压应力的至少一

个应力调和层。

8.如权利要求6所述的内连结构，还包括导电上盖层，位于该导电物的顶面。

9.如权利要求6所述的内连结构，其中该应力调和层并不接触该基底或该复合低介

电常数介电层的顶面。

10.一种双镶嵌结构，包括：

基底，其内设置有导电构件；

复合低介电常数介电层，位于该基底上，其内设置有至少一个应力调和层；以及

导电物，位于该复合低介电常数介电层内，通过该应力调和层并电连接于该导电构

件，该导电物包括下方的导电介层物以及堆叠于该导电介层物上的上方导线。

11.如权利要求10所述的双镶嵌结构，其中该导电物包括铜或铜合金。

12.如权利要求10所述的双镶嵌结构，其中该复合低介电常数介电层包括多个具有

拉应力的低介电常数部，其间设置有至少一个具有压应力的应力调和层。

13.如权利要求10所