无机材料合成与制备课件.pptVIP

第四篇无机薄膜材料的制

第一章无机薄膜材料的制1薄膜定、、厚度2薄膜的形成与生机制3薄膜的物理制方法

作特殊形材料的薄膜科学，已成微子、信息、感探器、光学及太阳能池等技的基；当今薄膜科学与技已展一跨多个域的合性学科，涉及物理、化学、材料科学、真空技技等域；和等离子体目前，光学薄膜、集成路薄膜、太阳能池薄膜、液晶示薄膜、刀具硬化膜、光磁等方面均有相当大的生模和效益。

§1-1薄膜定、、厚度A.薄膜定：薄膜：当材料的一性尺度小于它的其他二尺度往往米至微米量，将的材料称之薄膜；通常薄膜的划分具有一定随意性，一般分厚度大于1μm的厚膜及小于1μm的薄膜，本章所指的薄膜材料主要是无机薄膜。薄膜：是指在基板的垂直方向上所堆的1~1原0子的4或分子。在此方向上，薄膜具有微构。

B.薄膜薄膜的微(形)与薄膜制工条件(例如气、温度、功率等影响因素)密切相关；一般来，足厚的薄膜的晶格构与体相同，只有在超薄薄膜中其晶格常数才与材明不同；薄膜的晶体构与沉吸附原子的迁移率有关，它可以从完全无序，即无定形非晶膜渡到高度有序的晶膜，即薄膜的晶体构包括晶、多晶和非晶构(？)。

薄膜的四种典型形：在薄膜沉的程中，入射的气相原子首先会被底或薄膜表面所吸附。若些原子具有足的能量，它将在底或薄膜表面行一定的散(迁移)，除了可能脱附的部分原子之外，其他的原子将到达薄膜表面的某些低能位置并沉下来。与此同，如果底的温度足高，原子可能在薄膜内部一定的散程。因而，原子的沉程可分三个程，即气相原子的吸附，表面的散以及薄膜内的散。

由于上述程均受到相程的激活能控制，因此薄膜构的形成将与沉的底相温度T/T以及沉原子自身的sm能量密切相关。下面我以射方法制的薄膜例，沉条件于薄膜微的影响。射方法制的薄膜可依沉条件不同而呈四种不同的形。表明，除了底温度因素以外，射气薄膜构也有着著的影响。是因，射的气越高，入射到底上的粒子受到气体分子的碰撞越繁，粒子的能量也越低。

形1型：在温度很低、气体力高的情况下，入射粒子的能量很低，种情况下形成的薄膜微。由于温度低，原子的表面散能力有限，沉到底表面原子即已失去了散能力。致沉的薄膜呈一种数十米直径的状的形，内部陷密度很高或者就是非晶的构；的构明疏松，存在着多米尺寸的洞。此种薄膜的度很低。随着薄膜厚度的增加，状一步展状形，其有尺寸更大的孔洞，而薄膜表面呈出与之相的拱形形貌。

形T型：介于形1和形2之的渡型。此，沉的温度仍然很低，但与形1的情况相比，原子已具了一定的表面散能力。因此，然薄膜仍然保了状的特征，内部陷密度高，但界明地致密，的孔洞以及拱形的表面形貌特征消失。同，膜的度形1著提高。射气越低，即入射粒子的能量越高，生形1向形T的温度就越低。表明，入射粒子能量的提高有抑制形1型出，促形T型出的作用。

形2型：当温度介于T/T=0.3~0.5区内，sm原子表面散行得充分形成的薄膜。此，原子在薄膜内部的体散不充分，但原子的表面散能力已很高，已可行相当距离的散。在种情况下，形成的各个晶粒分外延而形成的均匀的柱状晶，柱晶的直径随沉温度的增加而增加。晶粒内部缺陷密度低，粒界的致密性好，使得薄膜具有高的度。同，各粒的表面开始呈出晶体学平面所特有的形貌。

形3型：底温度的升高(T/T0.5)使得原子的体散开始sm重要作用。此，在沉行的同，薄膜内将生再晶的程，晶粒开始大，直至超薄膜的厚度。薄膜的充分再晶的粗大的，晶粒内部缺陷密度很低。在形成形2和形3型的情况下，底温度已高因而入射粒子能量薄膜的影响得比小。

蒸法制的薄膜与射沉薄膜的相似，也可被相地划分上述四种不同的形。在形1和形T型低温薄膜沉的形成程中，原子的散能力不足，因而两生又称低温抑制型生。与此，形2型和形3型的生称高温激活型生。

C.薄膜厚度薄膜厚度是影响薄膜用的一个重要参量；厚度：两个完全平整的平行平面之的距离，是一个几何概念。理想的薄膜厚度是指基片表面和薄膜表面之的距离。上存在的表面是不平整和不的(孔、、晶格缺陷和表面吸附分子等)，所以，要格地定和精确量薄膜的厚度上是比困的。

表面和平均表面示意。G－表面；P－平均表面。平均表面：是指表面原子所有的点到个面的距离代数和等于零，因而是一个几何概念；基片表面S：指基片一的表面分子集合体的平均表面；S薄膜形状表面S：指薄膜上不与基片接触的那一的表面T的平均表面；

薄膜量等价表面S：将所量的薄膜原子重新排列，使M其密度和状材料相同且均匀分布在基片表面上，形成的平均表面；薄膜物性等价表面S：根据量薄膜的物理性等效一P定度和度与所量的薄膜相同尺寸的状材料的薄膜，的平均表面；

形状膜厚d：S(基片表面)和S(薄膜形状表面