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高效SiC 技术的介绍和分析
摘要：随着电力电子变换系统对于效率和体积提出更高的要求，SiC〔碳化硅〕将会是越来越适宜的半导体器件。尤其针对光伏逆变器和UPS应用，SiC器件是实现其高功率密度的一种格外有效的手段。本文主要介绍SiC技术优点、缺点及目前应用层面的一些瓶颈。
引言
由于SiC相对于Si的一些独特性，对于SiC技术的争论，可以追溯到上世界70年月。简洁来说，SiC主要在以下3个方面具有明显的优势：
击穿电压强度高〔10倍于Si〕更宽的能带隙〔3倍于Si〕
热导率高〔3倍于Si〕
这些特性使得SiC器件更适合应用在高功率密度、高开关频率的场合。
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