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SiO2光学薄膜的吸取边特性
孔明东;李斌成;郭春;柳存定;何文彦
【摘要】二氧化硅(SiO2)是光学系统中最常用光学薄膜材料之一,其微观构造、缺陷等信息对于争论和提高薄膜的性能具有重要作用.本文通过电子束蒸发、离子关心、磁控溅射方法制备SiO2薄膜并进展测试,计算出其吸取边光谱,对吸取边光谱的强吸取区、e指数区、弱吸取区进展分段分析得到SiO2薄膜的带隙宽度、带尾能量和氧空位缺陷含量数据.进一步分析三种薄膜和其在常规退火温度下的带隙宽度、带尾能量和氧空位缺陷含量的数据,获得SiO2薄膜的微观原子排列构造、微观缺陷信息,并对不同镀膜技术和不同退火温度下SiO2薄膜的原子排
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