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全球化合物半导体产业竞争格局及未来发展
机遇
作者:宫学源
来源:《新材料产业》2020年第06期
半导体是一种导电能力介于导体和绝缘体之間的物质(见图1),其按照载流子(或晶体
缺陷)的不同可分为P型半导体和N型半导体,半导体的导电性能与载流子(晶体缺陷)的
密度有很大关系。半导体器件的最基本组成单元为PN结,PN结具有正向导通反向绝缘的功
能,因此半导体器件在逻辑计算、信号传输、电力转换等诸多方面呈现出巨大优势。自1947
年第一个半导体二极管在贝尔实验室诞生以来,半导体彻底变革了人类的生产生活方式,全球
社会陆续从电气时代进入信息化时代,并加速向万物互联时代和人工智能智能迈进。作为未来
新型基础设施建设的物质基础,半导体产业发展的后劲依然十足,尤其是人工智能、5G通
信、新能源汽车、能源互联网等行业给半导体发展带来了新的增长点。
化合物半导体1支撑硬科技发展,战略价值凸显
按照化学组成的不同,半导体可分为元素半导体和化合物半导体2大类(如图2、图3所
示)。元素半导体主要包括锗(Ge)、硅(Si)和金刚石(C);广义的化合物半导体包括金
属间化合物半导体、有机半导体和氧化物半导体等;狭义的化合物半导体则主要包括Ⅱ-Ⅵ族
化合物硫化锌(ZnS)、硫化镉(CdS)等,Ⅲ-Ⅴ族化合物砷化镓(GaAs)、磷化铟
(InP)、氮化镓(GaN)等,Ⅳ族化合物碳化硅(SiC)、锗化硅(SiGe),以及Ⅱ-Ⅵ族和
Ⅲ-Ⅴ族化合物组成的多元化合物氮化铝镓(GaAlN)、砷化铝镓(AlGaAs)等。相对于最常
见的元素半导体硅,采用化合物半导体制作的元器件具有高频、高速、大功率、耐高压和功耗
低等特性以及独特的光电性能,在显示照明、新能源、轨道交通、新一代信息、先进制造和国
防军事等领域都有着诸多应用,甚至已经成为带动这些领域技术进步和产业发展的关键因素。
化合物半导体1.1引领半导体产业发展的新时代
在70年的发展历史中,全球半导体产业出现了3次具有代表性的进展。20世纪40年代,
第1代半导体材料Ge和Si开始崭露头角,并于随后几十年奠定了计算机和自动化等技术发展
的基础。目前,逻辑器件和功率器件2大类半导体器件,绝大部分均采用单晶硅材料制作而
成,应用领域涉及工业、商业、交通、医疗、军事等各个方面,涵盖人类生产生活的各个环节
和角落,人类社会正处在所谓的“硅材料时代”。但经过几十年的不停迭代,硅材料器件的性能
潜力已被榨取殆尽,所谓的摩尔定律几近失效。相比之下,硅材料的禁带宽度窄、电子迁移率
低(如表1所示),且属于间接带隙结构,在光电子器件和高频高功率器件的应用上存在较大
瓶颈。
世纪六七十年代,20III-V族半导体材料的发展开辟了新的应用领域——光电和射频,以
GaAs和InP为代表的第2代半导体材料出现在人们的视野中,同第1代半导体一起将人类社
会带入信息时代,数据的互联互通开始加速。进入80年代,以SiC、GaN和金刚石等为代表
的第3代半导体开始出现并迅猛发展,在新一代移动通信、新能源汽车、全球能源互联网、消
费电子、新一代显示和高速轨道交通等领域展现出巨大优势,成为全球半导体产业竞争的战略
高地。由此可见,化合物半导体已经成为未来硬科技发展的“根技术”,起到支撑、引领的作
用,其战略价值不言而喻。需要特别说明的是,半导体第1、2、3代的划分是国内的惯用“断
代法”,并没有特别明确的物理意义,各代半导体之间并非取代的关系,而是在不同领域、不
同场景中各有优势(如图4所示)。
第1.22代半导体GaAs、InP:光电通信产业的基石
随着移动互联网、云计算、5G通信等技术的迅速普及推广,下游应用端不断涌现新的大
带宽应用,全球数据量持续呈指数级增长。受此驱动,5G终端及基站数量迅猛增长,对射频
器件的性能需求也水涨船高;同时,互联网接入带宽速率与全球数据量保持同步增长,网络面
临增长的压力,光通信成为互联网数据中心(IDC)解决方案,业界对光模块的性能提出更高
要求。以GaAs、InP为代表第2代半导体,由于具有更高的电子迁移速率、更高的禁带宽度,
在半导体光电通信和射频器件领域极具性能优势,因此受到了世界范围内的广泛关注。
GaAs在高功率传输领域展现出优良的、难以替代的物理性能优势,使砷化镓高速半导体
器件产品更加广泛应用在手机电话、无线局域网络、
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