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全球化合物半导体产业竞争格局及未来发展

机遇

作者：宫学源

来源：《新材料产业》2020年第06期

半导体是一种导电能力介于导体和绝缘体之間的物质（见图1），其按照载流子（或晶体

缺陷）的不同可分为P型半导体和N型半导体，半导体的导电性能与载流子（晶体缺陷）的

密度有很大关系。半导体器件的最基本组成单元为PN结，PN结具有正向导通反向绝缘的功

能，因此半导体器件在逻辑计算、信号传输、电力转换等诸多方面呈现出巨大优势。自1947

年第一个半导体二极管在贝尔实验室诞生以来，半导体彻底变革了人类的生产生活方式，全球

社会陆续从电气时代进入信息化时代，并加速向万物互联时代和人工智能智能迈进。作为未来

新型基础设施建设的物质基础，半导体产业发展的后劲依然十足，尤其是人工智能、5G通

信、新能源汽车、能源互联网等行业给半导体发展带来了新的增长点。

化合物半导体1支撑硬科技发展，战略价值凸显

按照化学组成的不同，半导体可分为元素半导体和化合物半导体2大类（如图2、图3所

示）。元素半导体主要包括锗（Ge）、硅（Si）和金刚石（C）；广义的化合物半导体包括金

属间化合物半导体、有机半导体和氧化物半导体等；狭义的化合物半导体则主要包括Ⅱ-Ⅵ族

化合物硫化锌（ZnS）、硫化镉（CdS）等，Ⅲ-Ⅴ族化合物砷化镓（GaAs）、磷化铟

（InP）、氮化镓（GaN）等，Ⅳ族化合物碳化硅（SiC）、锗化硅（SiGe），以及Ⅱ-Ⅵ族和

Ⅲ-Ⅴ族化合物组成的多元化合物氮化铝镓（GaAlN）、砷化铝镓（AlGaAs）等。相对于最常

见的元素半导体硅，采用化合物半导体制作的元器件具有高频、高速、大功率、耐高压和功耗

低等特性以及独特的光电性能，在显示照明、新能源、轨道交通、新一代信息、先进制造和国

防军事等领域都有着诸多应用，甚至已经成为带动这些领域技术进步和产业发展的关键因素。

化合物半导体1.1引领半导体产业发展的新时代

在70年的发展历史中，全球半导体产业出现了3次具有代表性的进展。20世纪40年代，

第1代半导体材料Ge和Si开始崭露头角，并于随后几十年奠定了计算机和自动化等技术发展

的基础。目前，逻辑器件和功率器件2大类半导体器件，绝大部分均采用单晶硅材料制作而

成，应用领域涉及工业、商业、交通、医疗、军事等各个方面，涵盖人类生产生活的各个环节

和角落，人类社会正处在所谓的“硅材料时代”。但经过几十年的不停迭代，硅材料器件的性能

潜力已被榨取殆尽，所谓的摩尔定律几近失效。相比之下，硅材料的禁带宽度窄、电子迁移率

低（如表1所示），且属于间接带隙结构，在光电子器件和高频高功率器件的应用上存在较大

瓶颈。

世纪六七十年代，20III-V族半导体材料的发展开辟了新的应用领域——光电和射频，以

GaAs和InP为代表的第2代半导体材料出现在人们的视野中，同第1代半导体一起将人类社

会带入信息时代，数据的互联互通开始加速。进入80年代，以SiC、GaN和金刚石等为代表

的第3代半导体开始出现并迅猛发展，在新一代移动通信、新能源汽车、全球能源互联网、消

费电子、新一代显示和高速轨道交通等领域展现出巨大优势，成为全球半导体产业竞争的战略

高地。由此可见，化合物半导体已经成为未来硬科技发展的“根技术”，起到支撑、引领的作

用，其战略价值不言而喻。需要特别说明的是，半导体第1、2、3代的划分是国内的惯用“断

代法”，并没有特别明确的物理意义，各代半导体之间并非取代的关系，而是在不同领域、不

同场景中各有优势（如图4所示）。

第1.22代半导体GaAs、InP：光电通信产业的基石

随着移动互联网、云计算、5G通信等技术的迅速普及推广，下游应用端不断涌现新的大

带宽应用，全球数据量持续呈指数级增长。受此驱动，5G终端及基站数量迅猛增长，对射频

器件的性能需求也水涨船高；同时，互联网接入带宽速率与全球数据量保持同步增长，网络面

临增长的压力，光通信成为互联网数据中心（IDC）解决方案，业界对光模块的性能提出更高

要求。以GaAs、InP为代表第2代半导体，由于具有更高的电子迁移速率、更高的禁带宽度，

在半导体光电通信和射频器件领域极具性能优势，因此受到了世界范围内的广泛关注。

GaAs在高功率传输领域展现出优良的、难以替代的物理性能优势，使砷化镓高速半导体

器件产品更加广泛应用在手机电话、无线局域网络、