HgCdTe雪崩光电二极管的研究进展.docx

HgCdTe雪崩光电二极管的争论进展

宋淑芳;王小菊;田震

【期刊名称】《《激光与红外》》

【年(卷),期】2023(049)010

【总页数】6页(P1159-1164)

【关键词】HgCdTe;雪崩二极管;二维/三维成像

【作者】宋淑芳;王小菊;田震

【作者单位】华北光电技术争论所北京100015

【正文语种】中文

【中图分类】TN214

引言

红外光电探测器是红外探测系统的核心组成局部,以大规模、小型化、多色、高速探测以及三维成像等为主要特点的第三代碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面探测器已成为红外光电探测技术的主要进展方向。其中HgCdTe红外雪崩光电二极管(APD)阵列作为最近十多年来进展起来的型探测器,以其高增益、高灵敏度和高速探测的优点,成为将来微弱信号探测、三维主/被动探测应用的重要器件[1]。

在可见光波段,硅APD的技术已经格外成熟,根本上取代了传统的光电培增管(PMT),但是硅材料在红外波段探测效率低。红外短波波段,InGaAs/InP雪崩二极管具有优势,其光谱相应在1100～1700nm,吸取层材料为InGaAs,倍增层材料为InP。在红

外波段,HgCdTe雪崩光子探测器(APD)成为很有潜力的雪崩光子探测器。Hg1-

xCdxTe是由HgTe和CdTe混合的三元化合物,其晶格常数随组分变化小,与C