GaN核辐射探测器材料与器件研究进展.docx

GaN核辐射探测器材料与器件争论进展

陆敏;于国浩;张国光

【摘要】文章介绍GaN材料作为核探测器的潜在优势和国内外的争论状况,并概要综述GaN材料外延的主要技术、特点及其最进展.通过模拟计算,总结了使用GaN制备核探测器对材料的根本要求.同时,依据目前的争论现状,提出了在GaN材料生长和器件制作方面存在的主要技术问题及其解决方向.

【期刊名称】《原子能科学技术》

【年(卷),期】2023(044)006

【总页数】7页(P750-756)

【关键词】GaN;核探测器;金属有机化学气相淀积;氢化物气相外延

【作者】陆敏;于国浩;张国光

【作者单位】中国科学院,苏州纳米技术与纳米仿生争论所,江苏,苏州,215125;中国科学院,苏州纳米技术与纳米仿生争论所,江苏,苏州,215125;中国原子能科学争论院,核技术应用争论所,北京,102413

【正文语种】中文

【中图分类】TN304.2

多年来,用于γ和X射线能谱仪的半导体探测器主要是Li漂移Si、高纯Ge,它们具有较高的探测效率和能量区分率[1],但必需工作在低温下,这极大限制了它们的应用范围。因此,进展室温半导体核探测器始终是核技术工作者的追求目标。

CdZnTe(CZT)化合物半导体探测器始终是科技工作者争论的焦点,它的平均原子序

数高,吸取系数大,探测效率高;禁带宽度较大,又可在室温下工作[2]。由于CZT生长工艺的简单性,至今仅有少数几个国家有力量获得好品质的CZT材料,从严格意义上

讲,CZT是唯一的商用室温半导体核探测器,但其价格昂贵,始终制约着它的大量使用。作为第3代半导体材料代表的GaN及其多元合金材料,因其光学和电学性能独特、优异而备受学术界和工业界的关注和青睐,目前,光电子(如发光二极管LED和激光

二极管LD)和微电子(高电子迁移率晶体管HEMT)领域的争论和应用尤为活泼,是当今半导体界的国际焦点[3]。在探测器领域,GaN基材料渐渐成为紫外探测器、特别是太阳光盲紫外探测器的争论热点[4]。近几年来,国外开头关注和开展GaN材料在核辐射探测领域的争论。GaN具有宽带隙、强共价键结合、高熔点、高击穿电场、抗腐蚀、抗辐射等优良性能,它是良好的室温核辐射探测器半导体材料,尤其是在强辐射场的探测方面颇具优势[5]。与CZT相比,GaN具有更宽的带隙、更强的机械性能、更佳的化学稳定性、更成熟的材料生长和器件制备技术等优势,因

此,GaN探测器必将进展成为环境监测、核医学、工业无损检测、安全检查、核武器突防、航空航天、天体物理和高能物理等领域的一代廉价室温半导体核辐射探测器。

1GaN核探测器的优良特性

较高的原子序数,平均原子序数为19,Si为14,密度为6.09g?cm-3,远大于Si的

2.33g?cm-3,也高于CZT的5.78g?cm-3,对射线有较高的阻挡本领,探测器具有较高的探测效率。

很宽的禁带宽度(3.39eV),远宽于其它半导体材料,探测器在室温下工作时,具有较高的电阻率和较低的漏电流。

良好的工艺性能,易于制得纯度高、完整性好的单晶体,晶体具有优良的机械性能和化学稳定性(化学键强,晶格结合牢),便于进展机械加工。易于制作成势垒接触或

欧姆接触型。GaN在白光照明应用领域的工业化成熟技术为核探测器的研制奠定

了良好的根底。

物理性能优异,能耐较高的反向偏压,反向漏电流小,材料中载流子的迁移率-寿命乘积较大,探测器具有良好的能量区分率。

现今最好的市售室温半导体探测器有Si-PIN探测器和CZT探测器,它们大量使用在各种监测、成像和谱仪等系统中。例如,在X射线荧光中,主流探测器是

Si-PIN,自从欧盟2023年3月通过ROHS绿色环保协议后,对便携式X射线荧光的需求将是一很大的市场。Si-PIN虽是室温半导体探测器,但它仍需通过帕尔贴热电效应来制冷,以使探测器在一相对较低的温度(约-20℃)下工作,方能到达实际使用的能量区分率要求,这增加了器件的简单性、功耗和本钱[6]。与Si-PIN探测器相比,GaN拥有更宽的带隙,不需通过降温来削减热噪声,可实现室温工作。以下从理论上对GaN的PIN型探测器进展评价,以证明它有望成为较Si-PIN更为优越的探测器。

探测器的能量半高宽FWHM与探测器的总噪声ΔE的关系[1]为：总噪声ΔE为：

其中：ΔE1为系统电子学噪声;ΔE2为电荷收集不完全噪声;ΔE3为载流子统计涨落噪声。

其中：ΔE0为前置放大器本身的电子学噪声,eV;ε为平均电离能(即产生电子空穴对的平均能量);Id为探测器漏电流,pA;τ为成形时间常数,μs