19电力电子技术.ppt

第212页起19.2.119.2.319.2.4两题合一19.1电力电子器件电力电子器件的符号电力电子器件的主要性能指标19.1.2晶闸管1.基本结构2.工作原理19.2可控整流电路19.2.1可控整流电路19.2.2晶闸管的保护1.晶闸管的过流保护(1)快速熔断器保护(2)过流继电器保护2.晶闸管的过压保护(1)阻容保护19.2.3单结晶体管触发电路1.单结晶体管(2)工作原理2.单结晶体管触发电路(1)振荡电路(2)振荡过程分析19.4交流调压电路两种常用可控整流电路电路特点该电路只用一只晶闸管，且其上无反向电压。2.晶闸管和负载上的电流相同。(1)uTD2D1D4uORLD3+-+-由于T1的阳极和T2的阴极相连，两管控制极必须加独立的触发信号。(2)晶闸管的缺点：承受过电压、过电流的能力很差容易烧坏。在晶闸管过热损坏之前熔断，切断电流通路，以保证晶闸管的安全。与晶闸管串联接在输入端接在输出端快速熔断器接入方式有三种，如下图所示。~(3)过流截止保护在可控整流电路的输入端或输出端接入过电流继电器，在可控整流电路的输入端设置电流检测电路，当出现过电流时，该电路使触发脉冲ug后移或消失，从而使晶闸管导通角减小或关断。~RLCR(2)硒碓保护利用电容吸收过压。将造成过电压能量储存到电容中，再让电阻中消耗掉。硒碓保护(硒整流片)CRRCRC晶闸管元件的阻容保护?tO?tO半波可控整流电路???t1??tO?t22?控制极G与阴极K之间的触发脉冲ug如何产生？又如何控制其出现时间？B2第二基极B1N欧姆接触电阻P发射极E第一基极PN结N型硅片(a)示意图单结晶体管结构示意图及其表示符号(b)符号(1)结构B2EB1?UE?UBB+UD=UP时PN结反偏，IE约为0PN结导通,IE速增。UE?UP时??–分压比(0.5~0.9)UP–峰点电压UD–PN结正向导通压降B2B1UBBEUE+_+_RP+_+_等效电路测量单结晶体管的实验电路由图可求得RERB1RB2AUBBEUE+_RP+_+_B2B1RE(3)单结晶体管的伏安特性UV、IV(谷点电压、电流):维持单结管导通的最小电压、电流。UP(峰点电压)：单结管由截止变导通所需发射极电压。IpIVoIEUEUP峰点电压UV谷点电压V负阻区截止区饱和区UEUP后，大量空穴注入基区，致使RB1减小，即UE降IE增，是负阻---负阻区。空穴灌注到饱和，RB1保持为常量，UE增IE增—饱和区P(1)UEUP时单结管截止；UEUP时单结管导通且UE自动降低，UEUV时恢复截止。单结晶体管的特点(2)峰点电压UP=?UBB+UD(3)谷点电压大约在2~5V之间。常选用?稍大，UV稍小的单结晶体管，以增大输出脉冲幅度和移相范围。B2EB1单结晶体管弛张振荡电路改进：RC充放电电路来替代人工移动RPugR2R1RUuCE+C+__+_50?100k?300?0.47?F设通电前uC=0。接通电源U,电容C充电。电容电压uC升高。当uC?UP时,单结管导通,电容C放电,R1输出脉冲电压ug。UpUVUp-UVuC?tug?t电容放电至uC?Uv时，单结管重新关断，使ug?0。ugR2R1RUuCE+C+__+_50?100k?300?0.47?FuC?t?tuOuPuV(b)电压波形主电路触发电路(3)单结管触发的半控桥式整流电路u1+RLR1R2RPCRuZT1D1D2T2u2+–uC++–RuL+ug+u+?1)整流削波U2M削波UZU2M?tO?t?t整流Ru2+–+–uO+–uZ第19章电力电子技术19.1电力电子器件19.2可控整流