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（2）漏源电压VDS对iD的影响JFET工作原理

（动画2-9)（3）伏安特性曲线可变电阻区夹断区（4）转移特性曲线结型场效应管的特性小结金属-氧化物-半导体场效应管VGD=VGS-VDS,当VDS为0或较小时，VGD＞VGS(th)，此时VDS基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。MOSFET的特性曲线N沟道耗尽型MOSFET耗尽型MOSFET的特性曲线P沟道MOSFET简介场效应管的主要参数、特点及注意事项增强型MOS管特性小结双极型三极管与场效应三极管的比较P沟道MOS管和N沟道MOS管的主要区别在于作为衬底的半导体材料的类型不同，PMOS管是以N型硅作为衬底，而漏极和源极从P区引出，形成的反型层为P型，相应的沟道为P型沟道。对于耗尽型PMOS管，在二氧化硅绝缘层中掺入的是负离子。使用时，uGS的极性与NMOS管相反。增强型PMOS管的开启电压UGS（th）是负值，而耗尽型的P沟道场效应管的夹断电压UGS(off)是正值。场效应管的主要参数一、性能参数1.开启电压UGS(th)开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值,场效应管不能导通。2.夹断电压UGS(off)夹断电压是耗尽型FET的参数，当uGS=UGS(pff)时,漏极电流为零。3.饱和漏极电流IDSS耗尽型场效应三极管,当uGS=0时所对应的漏极电流。4.直流输入电阻RGS结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω；绝缘栅型场效应三极管,RGS约是109～1015Ω。5.低频跨导gm：表示uGS对iD的控制作用。在转移特性曲线上，gm是曲线在某点上的斜率，也可由iD的表达式求导得出，单位为S或mS。绝缘栅场效应管N沟道增强型P沟道增强型开启电压UGS(th)开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值,场效应管不能导通DSBGN沟道增强型场效应管NPN型三极管ecbG-------bD-------cS-------e与NPN三极管相似，NMOS管为电压控制器件，当vGSVGS(th)N，MOS管导通。与PNP三极管相似，PMOS管为电压控制器件，当UGSUGS(th)P,MOS管导通。DSBGP沟道增强型场效应管ecbPNP型三极管绝缘栅耗尽型N沟道P沟道增强型MOS管特性小结夹断电压UGS(off)夹断电压是耗尽型FET的参数，当uGS=UGS(pff)时,漏极电流为零。绝缘栅增强型N沟P沟绝缘栅耗尽型N沟道P沟道二、极限参数1、最大漏极电流IDM是指管子在工作时允许的最大漏极电流。2、最大耗散功率PDMPDM=uDSiD，它受管子的最高工作温度的限制。3、漏源击穿电压U（BR）DS漏、源极间所能承受的最大电压。4、栅源击穿电压U（BR）GS漏、源极间所能承受的最高电压。场效应管的主要特点及使用注意事项一、特点和选管原则1、电压控制器件，栅极基本上不取电流，输入电阻高。所以，常用在那些只允许信号源戏曲小电流的高精度、高灵敏度的测量仪器、仪表等。2、参与导电的只是多子。所以不易受温度、辐射等外界因素影响，用在环境条件变化较大的场合。3、噪声较小。对于低噪声、稳定性要求高的线性放大电路宜采用。4、制造工艺简单，所占的芯片面积小，功耗很小，使用于大规模集成。5、源极和漏极结构对称，可以互换使用。二、使用注意事项1、使用时，各极电源极性应按规定接入;各极限参数规定的数值绝对不能超过。2、MOS管的衬底和源极通常连接在一起，若需分开，则衬源间的电压要保证衬源间PN结反向偏置。3、贮存时，应将管子的三个电极短路；把管子焊接到电路上或取下时，应先用导线将各电极绕在一起；焊接管子，最好断电利用余热焊接。4、JFET可在栅源极开路状态下贮存，用万用表检查；MOS管必须用测试仪，良好接地。*数字电子技术基础信息科学与工程学院阎石主编（第五版）场效应管场效应管是一种由输入信号电压来控制其电流大小的半导体三极管，所以是电压控制器件。场效应管的分类根据结构不同分类：结型场效应管和绝缘栅场效应管（MOS管）场效应管：结型N沟道P沟道MOS型N沟道P沟道增强型耗尽型增