IC工艺技术10-CMOS集成电路工艺技术.ppt

;内容;〔一〕CMOS工艺概述;MOSFET根本方程;线性区和饱和区;MOSFET种类;阈值电压控制;阈值电压控制;场区寄生MOSFET的开启电压;CMOS倒相器根本结构;CMOS结构中的阱;CMOS结构中的阱;;;LOCOS鸟嘴;CMOS工艺要求更高清洁度;〔二〕2umP阱硅栅

CMOSIC工艺流程;2umP阱CMOSSPEC;CMOSIC工艺流程(1);CMOSIC工艺流程(2);CMOSIC工艺流程(3);CMOSIC工艺流程(4);CMOSIC工艺流程(5);CMOSIC工艺流程(6);CMOSIC工艺流程(7);CMOSIC工艺流程(8);CMOSIC工艺流程(9);CMOSIC工艺流程(10);〔三〕先进CMOSIC工艺;先进CMOSIC工艺;;;热电子效应和漏极工程(1);热电子效应和漏极工程(2);热电子效应和漏极工程(3)

(DDD);热电子效应和漏极工程(4)

(LDD);LDD工艺流程(1);LDD工艺流程(2);LDD工艺流程(3);MOSFET模拟－杂质分布;短沟道效应和沟道区掺杂;;;;;Latchup效应;防止Latchup效应的对策;高能注入形成逆向阱;;BiCMOS逻辑门;;;利用N阱作集电极的简单BiCMOS;用CMOS双阱工艺的BiCMOS;;BiCMOS;〔五〕功率MOSFET;功率MOSFET;功率MOSFET的应用;VDMOS原理图;600V/2AVDMOS芯片;600V/4AVDMOS单元和终端;击穿电压和导通电阻;外延层的选择;LDMOS;LDMOS电位分布;〔六〕BCD

(BipolarCMOSDMOS);MOS功率集成电路;BCD;N-epi