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IEGT—电力半导体器件家族中的新成员.docx

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    IEGT—电力半导体器件家族中的成员

    注入增加栅晶体管IEGT

    1引言

    众所周知，人类第一个晶闸管(SCR)制造到今已近50年。电力电子成套装置不断对电力半导体器件提出的、更高的要求，这些要求可概括为dv/dt和di/dt尽可能的高，开关速度尽可能的快，通态压降尽可能的低，而通流力量尽可能的大。这些要求成为电力半导体器件制造和进步的直接推动力，促使如今电力半导体器件并已形成了一个浩大的家族。几年前人们普遍看好 MOS掌握晶闸管MCT，由于这类器件压降低于IGBT，并且无二次击穿现象，dv/dt和di/dt可分别到达2023V/μs和20230A/μs以上，

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