InN半导体材料及器件研究进展.docx

InN半导体材料及器件争论进展

摘要：InN是性能优良的三五族化合物半导体材料，在光电子领域有着格外重要的应用价值，因此始终是国际国内争论的焦点。这里，就InN材料的制备方法、P型掺杂、电学特性、光学特性、高温退火特性、器件的争论应用以及争论的最进展进展了综述。

关键词：InN 制备 特性 应用 太赫兹辐射 进展

引言：三族氮化物半导体材料GaN、AlN、InN是性能优越的半导体材料。在光电子器件方面已有重要的应用，在光电集成、超高速微电子器件及集成电路上也有格外宽阔的前景。但是由于InN具有低得离解温度，要求低温生长，而作为氮源的NH3的分解温度较高，这是InN生长的一对