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证券研究报告

半导体行业/专题报告

2023年5月11日

刻蚀工艺双子星：

大马士革极高深宽比

分析师：吴文吉登记编号：S1220521120003

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投资要点

◼刻蚀概览：

◼刻蚀是半导体器件制造中选择性地移除沉积层特定部分的工艺。在半导体器件的整个制造过程中，刻蚀步

骤多达上百个，是半导体制造中最常用的工艺之一。

✓刻蚀工艺可分为干法刻蚀和湿法刻蚀。目前应用主要以干法刻蚀为主，市场占比90%以上。湿法刻蚀在小

尺寸及复杂结构应用中具有局限性，目前主要用于干法刻蚀后残留物的清洗。

✓根据作用原理，干法刻蚀可分为物理刻蚀（离子铣刻蚀）和化学刻蚀（等离子刻蚀）。

✓根据被刻蚀的材料类型，干法刻蚀则可分为金属刻蚀、介质刻蚀与硅刻蚀，介质刻蚀、硅刻蚀广泛应用于

逻辑、存储器等芯片制造中，合计占九成以上市场规模。

◼刻蚀关键工艺：大马士革极高深宽比

◼新电子材料的集成和加工器件尺寸的不断缩小为刻蚀设备带来了新的技术挑战，同时对性能的要求（刻蚀

均匀性、稳定性和可靠性）越来越高。分别从逻辑器件和存储器件的技术演进路线看刻蚀工艺应用：

✓在28纳米及以下的逻辑器件生产工艺中，一体化大马士革刻蚀工艺，需要一次完成通孔和沟槽的刻蚀，是

技术要求最高、市场占有率最大的刻蚀工艺之一。

✓存储器件2D到3D的结构转变使等离子体刻蚀成为最关键的加工步骤。在存储器件中，极高深宽比刻蚀是

最为困难和关键的工艺，是在多种膜结构上，刻蚀出极高深宽比（40:1）的深孔/深槽。

◼刻蚀设备市场情况：

◼微缩化+3D化，推动刻蚀用量增加；根据Gartner统计，2022年全球刻蚀设备占晶圆制造设备价值量约

22%，约230亿美元市场规模。刻蚀设备呈现日美厂商头部集中、中国厂商崛起的竞争格局。

◼相关标的：

✓刻蚀设备：北方华创，中微公司，屹唐股份（未上市）；

✓零部件：富创精密，江丰电子，新莱应材，英杰电气，国力股份，华卓精科（未上市）

◼风险提示：1）下游扩产不及预期；2）技术发展不及预期；3）零部件短缺影响出货；4）贸易争端风险。

资料来源：Gartner，SEMI，slidesplayer，国际电子商情，中微公司公告，中微公司官网，华经情报网，前瞻产业研究院，方正证券研究所整理2

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目录

1刻蚀概览

刻蚀分类工艺对比

刻蚀关键工艺：大马士革极高深宽比

刻蚀设备市场情况

2刻蚀设备厂商

北方华创

中微公司

屹唐股份（未上市）

3

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刻蚀：将掩膜版上的电路图印射到晶圆上

光刻

刻蚀

光通过光掩膜版射到晶圆上

。当涂胶层暴露在光照下，用刻蚀材料（如气体

会产生化学反应将光掩膜版