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- 2024-07-10 发布于北京
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摘要笔记本电源芯片APM2512N提供25V40A和RDSON9mΩ的品牌级MosFET功能,并具有高密度设计和可靠性和耐用性该产品由TO252包装,适用于PowerManagement和设备与电池供电系统中的电力管理应用购买信息包括包装代码UTO252操作junction温度范围C55到150C处理代码H55到150H电压范围TRtapeReel
APM2512N
N-ChannelEnhancementModeMOSFET
FeaturesPinDescription
•25V/40A,RDS(ON)=9mΩ(typ.)@VGS=10V
RDS(ON)=13mΩ(typ.)@VGS=4.5V
•SuperHighDenseCellDesignforExtremely
123
LowR
DS(ON)
•ReliableandRugged
GDS
•TO-252Pac
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