太阳能光伏发电系统--.pptVIP

*非晶硅电池与晶体硅电池性能对照表非晶硅薄膜电池晶体硅电池a-Si多晶硅单晶硅电池时代类别第三代电池第二代电池第一代电池制造成本低较高高转化率6～10％10～12％14～17％原材料来源广泛较缺紧缺发电性能弱光发电强光强光日发电时间10～13小时6～8小时4～6小时透光度半透明、透明不透明不透明颜色多样化浅蓝深蓝*非晶硅电池与晶体硅电池性能对照表（续）非晶硅薄膜电池晶体硅电池电池时代类别第三代电池第二代电池第一代电池使用寿命（年）20～2520～2520～25电池板块规格统一，标准板块大小1245×635，单件功率40W随硅元件使用的多少，以及纯度的改变，单件功率不确定。同样面积的板块功率可以变化。故障率非晶硅电池串联后不会因为遮挡产生热岛效应，它们不会因不能产生电流而被反偏。故障率极低。晶体硅电池如果其中一小部分被遮挡，会产生热岛效应，这将极大的降低整个组件的功率输出，意味着被遮挡的电池把功率以热的方式耗尽，时间过长就导致故障并有可能导致整个组件的损坏*硅太阳能电池板的生产流程制电池过程熔化浇铸层压封装*1.SnO2刻槽2.a-Si沉积3.a-Si刻槽4.AL溅射5.AL刻槽6.边绝缘处理7.超声波焊接8.层压非晶硅太阳能电池板的生产流程*通信卫星供电、太阳能庭院灯、太阳能发电户用系统、光伏水泵（饮水或灌溉）、通信电源、石油输油管道阴极保护、光缆通信泵站电源、海水淡化系统、城镇中路标、高速公路路标等。太阳电池与建筑系统的结合已经形成产业化趋势六、太阳能电池的应用*通讯/通信领域太阳能无人值守微波中继站、光缆维护站、广播/通讯/寻呼电源系统；农村载波电话光伏系统、小型通信机、士兵GPS供电等。*光伏幕墙（德国）返回*太阳方舟——全长315m，最高位置（两边）高37.1米，中央高31.6m，底部宽13.7m，顶部宽4.3m，重量3000t。最大功率630kW，年发电量53万kWh,预计每年可以减排95吨返回*德国Freiburg太阳能住宅返回*广场或走廊天棚返回*太阳电池组件可作为遮阳挡雨部件（德国）返回*装饰性光伏候车棚（德国）返回*意大利太阳电池作为外墙装饰品返回*七、太阳能电池的发展历史1954美国贝尔实验室发明单晶硅太阳能电池，效率为6％1955第一个光伏航标灯问世，美国RCA发明GaAs太阳能电池1958太阳能电池首次装备于美国先锋1号卫星，转换效率为8％。1959第一个单晶硅太阳能电池问世。1960太阳能电池首次实现并网运行。1974突破反射绒面技术，硅太阳能电池效率达到18％。1975非晶硅及带硅太阳能电池问世1978美国建成100KW光伏电站1980单晶硅太阳能电池效率达到20％多晶硅为14.5％，GaAs为22.5％1986美国建成6.5KW光伏电站1990德国提出“2000光伏屋顶计划”1995高效聚光GaAs太阳能电池问世，效率达32％。1997美国提出“克林顿总统百万太阳能屋顶计划，日本提出“新阳光计划”1998单晶硅太阳能电池效率达到24.7％，荷兰提出“百万光伏屋顶计划”2000世界太阳能电池总产量达287MW，欧洲计划2010年生产60亿瓦光伏电池*1、硅基电池硅是地球上丰度第二大元素，资源丰富(以石英砂形式存在)；环境友好；电池效率高，性能稳定；工艺基础成熟。硅基电池是目前光伏界研究开发的重点、热点晶硅电池的产业化技术硅基薄膜电池八、太阳能电池的研究方向*晶硅电池:①提高电池/组件效率高效钝化技术：TiO2，SiNx,H、SiO2,a-Si。。高效陷光技术：减反射，表面织构化，背反射等，选择性发射区(前)，背表面场(BSF)，细栅或者单面技术，高效封装技术－最佳封装材料的折射率等。②简化、改进工艺－自动化、环保、低成本；如硅片薄化及其工艺，③材料的国产化和提高性能；*硅基薄膜电池①低温过程(PECVD)300℃，非晶、微晶、微非迭层－效率、稳定性，柔性衬底②低温过程900℃,多晶硅基薄膜电池，廉价衬底；*2、化合物电池CIGS电池：提高效率，大面积重复性，S代SeCdTe电池：提高效率，大面积重复性Gratzel电池－高效染料，固体或准固态电解质，提高效率，大面积重复性有机电池－高效电子受体和给体以及材料，提高效率*3、新型概念电池：量子点、量子阱电池，中间带光伏电池，