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多晶硅薄膜电池获得多晶硅薄膜的方法直接法：液相外延，离子辅助沉积，高温化学气相沉积。衬底温度高于700度，不适合普通玻璃衬底。间接法：a-Si预沉积+再结晶预沉积a-Si：电子束蒸发，PECVD，溅射再结晶的方法：固相结晶（SPC），金属诱导（MIC）和准分子激光退火（ELA）*多晶硅薄膜电池目前研究最多的是：PECVD+SPC以澳大利亚新南威尔士大学的研究结果为例在玻璃衬底上沉积一层AZO（氧化锌铝），作为透明电极。在AZO上依次使用PECVD沉积P+Si(~20nm，~1019cm-3)/P-Si(~2um，~1016cm-3)/n+Si(~20nm，~1019cm-3)在氮气保护下650度退火48h（SPC过程），使得非晶硅结晶。在900度快速热退火几分钟，减少缺陷。在氢气气氛下600度左右进行请处理减少悬挂键。进行金属化上电极（Ag），完成电池制备。*多晶硅薄膜电池表中的CSG就是使用PECVD+SPC制作的多晶硅太阳能电池效率。目前已经能够制作面积为600cm2效率为8%的module*多晶硅薄膜电池5*5cm2glasssuperstratemodule*非晶硅材料特性非晶硅是Si和H的一种合金。键长的分布和键的角度打乱了Si晶格的长程有序，从而改变了光学和电学性能。Eg从晶硅的1.12eV增加到1.7eV，并且从间接能带变为直接能带。*非晶硅电池的典型结构*非晶硅的主要制作技术化学气相沉积工艺中以硅烷作为反应气体。而不能采用溅射的方法制作沉积温度一般低于500摄氏度，否则薄膜中不含H在衬底温度较低的情况下，需要对SiH4气体进行预先裂解*非晶硅电池特点吸收系数较高，Si材料厚度只需要?m量级，制作成本较低转换效率较低，实验室效率13％，产品效率6～8％。存在光致衰减效应，迄今为止没有解决多晶硅/非晶硅、微晶硅/非晶硅级联电池成为目前研究热点*III-V族化合物半导体电池简介III-V族半导体如GaAs，GaInP等具有广泛的用途，如高温、高压、高频器件，激光器，高亮度发光二极管等。III-V族半导体材料具有可变的直接带隙和高可靠性等特点使之成为高效太阳电池的理想材料*GaAs基太阳能电池的优点与Si相比，禁带宽度与太阳光谱更匹配Si1.12eV，GaAs1.425eV所需有效电池区很薄直接能隙，吸收系数10-4cm-1，光子完全吸收厚度4?m。Si间接能隙，需要100?m以上。温度特性好温度系数：Si-0.48%/?C，GaAs-0.23%/?C200OC时，GaAs太阳能电池还能工作，Si效率为零*GaAs基太阳能电池的主要用途空间太阳能电池非聚光、高效、不考虑成本高聚光比太阳能电池为降低成本、减少电池面积*GaAs太阳能电池的技术发展过程GaAs单结太阳能电池GaAs/Ge太阳能电池GaInP2/GaAs双结太阳能电池GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池*GaAs单结太阳能电池最早的GaAs太阳能电池1956年，采用扩散方法形成PN结，效率只有6.5%。主要原因：上表面复合严重，影响光生载流子形成短路电路。1972年，Woodall等采用LPE在GaAs表面生长宽禁带GaAlAs?实现对GaAs电池上表面的钝化，同时作为GaAs电池的窗口层。*GaAs/Ge单结太阳能电池Ge单晶取代GaAs单晶作为衬底GaAs材料昂贵，材料密度高，机械强度低。Ge材料成本相对较低，机械强度高。关键技术：抑制GaAs/Ge异质结，消除极性与非极性外延特性的反相畴(APDs)Ge(共价键)，GaAs(轻微的离子键)，电荷不平衡形成反相畴?降低GaAs/Ge的电特性抑制APDs：衬底偏向(100)晶面大偏角，高衬底温度，相对低的生长速率和高V/III比组合生长条件在AM0效率可以达到20％GaAs/Ge单结太阳能电池结构示意图*多结太阳能电池单一半导体构成的太阳能电池，只能将太阳能光谱的一部分有效的转换成电能。多结太阳能电池，采用不同禁带宽度的半导体材料吸收太阳光谱中不同波段的能量机械级联太阳能电池整体级联太阳能电池，将不同禁带宽度的半导体材料依次从高到低叠加成一个整体，分别吸收利用从短波到长波的入射光。*我系太阳能研究历史1979，用化学与电化学方法在玻璃上制备铜底层与硫化锌、镍的吸收涂层(清华一号,TH1)涂层1981，用真空蒸发工艺在玻璃上制备铝底层、铬－氧复合薄膜的选择性吸收涂层(TH2)1985，