封装工艺流程(1).pptVIP

第二章;传统封装与装配;净化车间;芯片封装技术工艺流程图;2.2芯片减薄与切割

芯片减薄

为什么要减薄

半导体集成电路用4英寸硅片厚度为520μm，6英寸厚度为670μm。这样就对芯片的切分带来困难。因此电路层制作完成后，需要对硅片背面进行减薄，使其达到所需要的厚度，然后再进行划片加工，形成一个个减薄的裸芯片。

;减薄工艺

硅片背面减技术主要有：

磨削、研磨、化学抛光

干式抛光、电化学腐蚀、湿法腐蚀

等离子增强化学腐蚀、常压等离子腐蚀等;硅片减薄;BackGrinding背面减薄;优点：无缝隙、热稳定性优良、低接合应力与低湿气含量。

4、倒装焊接后芯片下面充填

再将载带上的引线排与芯片的I/O键合点键合。

切筋成型通常是两道工序，但同时完成（在机器上）。

凸点材料：Ni/AuCu凸点、CuC凸点等；

铜丝相对于金丝具有成本低、强度和刚度高、适合于细间距键合的优点。

??苯丙环丁稀(BCB)薄膜

工艺过程有些像敲橡皮图章，因为是用橡胶来刻制打码标识。

Molding（注塑）

可见TAB技术与一般的压丝引线技术不同。

Pb/Sn焊料（C4技术）的优点：

置球及模板印刷制作焊料凸点法

主要方法有：热压焊、热压再流焊。

所谓各向异性导电胶（ACA）可理解为纵向导电，横向不导电的材料。

化学镀凸点制作法、打球凸点制作法、移植法等。

金凸块制作的传统工艺:

关键：制作高精度模板。

将置料球换成印刷焊膏也可制作焊料凸点。

Intermetallic（金属间化合物测试）

因此改进凸块制作技术成为一项研究的热门课题。;先划片后减薄和减薄划片两种方法

;分片;WaferSaw晶圆切割;OpticalInspection光学检查;2.3芯片粘贴;装架;2.3.1共晶粘贴法;芯片粘结－Au-Si共晶贴片;2.3.2焊接粘贴法;2.3.3导电胶粘贴法;芯片粘结－环氧树脂粘贴;DieAttach芯片粘接;图解操作;DieAttach芯片粘接;EpoxyCure银浆固化;导电胶粘贴法工艺过程和导电胶材料;2.3.4玻璃胶粘贴法;;2.4互连技术;;引线键合技术是将半导体裸芯片（Die）焊区与微电子封装的I/O引线或基板上的金属布线焊区（Pad）用金属细丝连接起来的工艺技术。;WB技术作用机理;

三种??合方式：

超声波键合（加超声）

热压键合（加热、加压）

热超声波键合（也称为金丝球焊。加热、加压、加超声）

;WireBonding引线焊接;从芯片压点到引线框架的引线键合;1、超声波键合;超声键合工序;2、热压键合;热压键合;3、热超声波键合;热超声键合;热超声键合特点;引线键合实例;WireBond的质量控制：;引线键合拉力试验;引线键合的主要材料;引线键合的关键工艺;引线键合的技术缺陷;2.4.2载带自动键合技术(TAB)

;载带自动焊键合技术（TAB）

主要工艺技术包括：载带制造技术、凸点形成技术、引线压焊技术、密封技术。

TAB法适合于自动化流水线大批量生产，效率高；

适应高密度I/O及高速超大规模集成电路的封装要求。

应用对象：I/O接点大于500个。;各种TAB封装;TAB技术较之常用的引线工艺的优点：

（1）对高速电路来说，常规的引线使用圆形导线，而且引线较长，往往引线中高频电流的趋肤效应使电感增加，造成信号传递延迟和畸变，这是十分不利的。TAB技术采用矩形截面的引线，因而电感小，这是它的优点。

（2）传统引线工艺要求键合面积4mil2，而TAB工艺的内引线键合面积仅为2mil2这样就可以增加I/O密度，适应超级计算机与微处理器的更新换代。

（3）TAB技术中使用铜线而不使用铝线，从而改善器件的热耗散性能。

（4）在芯片最终封装前可进行预测试和通电老化。这样可剔除坏芯片，不使它流入下一道工序，从而节省了成本，提高了可靠性。

（5）TAB工艺中引线的键合平面低，使器件薄化。

;1、基本工艺---载带制造技术;铜箔双层带;各种载带制作

;载带材料;载带上Cu箔引线的图形结构;2、凸点形成技术：基本工艺;凸点种类;金凸块制作的传统工艺

;金凸块制作流程;凸块转移技术

一般的凸块制作工艺流程，可以看出，它的制作工艺复杂，技术难度大，成本高。因此改进凸块制作技术成为一项研究的热门课题。

Matsushita公司开发了凸块转移技术。

这种技术分2次键合：

第1次是将在玻璃基板上做成的凸块，转移到载带内引脚前端与芯片键合点相对应的位置。

第2次键合。在引脚前端有凸点的载带由专门的制造商提供，这