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中国IGBT驱动器行业发展趋势

一、IGBT驱动器行业概述

IGBT是由双极结型晶体管（BJT）和金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件，IGBT要想将自身优秀的功能在相关产品上稳定实现，离不开它的助手IGBT驱动器（即IGBT模块解决方案），IGBT驱动器是对上位机发出的控制信号（控制信号：使得功率管开通或关断）进行功率放大并同时能够对IGBT模块提供一定保护功能（互锁、短路、欠压、有源钳位）的装置。

1、分类

从电路隔离方式看，IGBT驱动器可分成两大类，一类采用光电耦合器，另一类采用脉冲变压器，两者均可实现信号的传输及电路的隔离。

2、发展历程

从20世纪80年代至今，IGBT芯片经历了7代升级，从平面穿通型(PT)到沟槽型电场-截止型(FS-Trench)，芯片面积、工艺线宽、通态饱和压降、关断时间、功率损耗等各项指标经历了不断的优化，断态电压也从600V提高到6500V以上。目前市场上应用最广泛的仍是IGBT第4代工艺产品。IGBT技术的整体发展趋势是大电流、高电压、低损耗、高频率、功能集成化、高可靠性。

二、发展背景

1、政策因素

近年来为了推动功率半导体行业尤其是IGBT产业健康快速发展，国家相关部门不仅制定了相关的一系列政策措施，还不断加大扶持力度。其中，IGBT曾被划为02专项重点扶持项目实施长达15年并于2021