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电流可逆斩波电路（MOSFET）
1设计要求与方案
设计一电流可逆斩波电路（MOSFET），已知电源电压为400V，反电动势负
载，其中R的值为5Ω、L的值为1mH、E=350V，斩波电路输出电压250V。
电流可逆斩波主电路原理图如图1.1所示。
u
Vo
1
VD
E2LRi
o
VOt
2VDuMiii
1EoV1D1
o
M
Ot
ii
D2V2
a)b)
图1.1电流可逆斩波电路的原理图及其工作波形
a）电路图b）波形
2原理和参数
2.1设计原理
如图1.1：V1和VD1构成降压斩波电路，由电源向直流电动机供电，电动机
为电动运行，工作于第1象限；V2和VD2构成升压斩波电路，把直流电动机的
动能转变为电能反馈到电源，使电动机作再生制动运行，工作于第2象限。
必须防止V1和V2同时导通而导致的电源短路。
只作降压斩波器运行时，V2和VD2总处于断态；
只作升压斩波器运行时，则V1和VD1总处于断态；
第3种工作方式：一个周期内交替地作为降压斩波电路和升压斩波电路工作。
1
当降压斩波电路或升压斩波电路的电流断续而为零时，使另一个斩波电路工
作，让电流反方向流过，这样电动机电枢回路总有电流流过。在一个周期内，电
枢电流沿正、负两个方向流通，电流不断，所以响应很快。
2.2参数计算
t
U=onU
V1gate信号的参数：输出Uo大小由降压斩波电路决定，根据OTi，
已知Ui=400V，Uo=250V，不妨取T=0.001s，则ton=0.000625s，占空比为62.5%。
V2gate信号的参数：由于电感只有1mH,释放磁场能的时间不易计算，可
在后面仿真时再确定。T=0.001s，占空比粗略地取为30%，V2gate信号触发延
时间：（62.5%+（1-30%））*0.001=0.000725s。
3驱动电路分析与设计
图3.1驱动电路原理图
功率MOSFET驱动电路的要求是：
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