干法刻蚀完整版本..pptxVIP

第十章干法刻蚀;刻蚀的概念:

用化学或物理的方法有选择地去除不需要的材料的工艺过程称为刻蚀。由于硅可以作为几乎所有集成电路和半导体器件的基板材料，所以本章主要讨论在硅基板表面的刻蚀过程。

刻蚀示意图：;3;4;5;6;7;8;9;10;11;12;13;14;15;16;RIE:物理刻蚀+化学刻蚀

④由于离子轰击的方向性，遭受离子轰击的底面比未遭受离子轰击的侧面的刻蚀要快得多，达到了很好的各向异性。

SiO2对光刻胶的选择比＝(ΔTsio2/t1)/(ΔT胶/t1)＝ΔTsio2/ΔT胶

30kV的气体离化团束设备图

（a）0时刻（b）t1时刻

用化学或物理的方法有选择地去除不需要的材料的工艺过程称为刻蚀。

机理：在等离子体刻蚀中，活性基团与被刻蚀材料反应的同时，基团被激发并发出特定波长的光，利用带波长过滤器的探测器，探测等离子体中的反应基团发光强度的变化来检测刻蚀过程是否结束。

微负载效应：AspectRatioDependenceEtching

Anisotropicetch-etchesinonlyonedirection

②反应室被设计成射频电场垂直于被刻蚀样片表面且射频电源电极（称为阴极）的面积小于接地电极（称为阳极）的面积时，在系统的电源电极上产生一个较大的自偏置电场。

ECR型：冷阴极放电ECR离子源

定义：将离子以束状聚集以进行刻蚀加工的技术即为离子束刻蚀。

最小的光刻胶脱落或粘附问题

刻蚀速率＝ΔT/t（?/min)

Bias：凹切量或侧蚀宽度

好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性

等离子体刻蚀又称为激发反应气体刻蚀，属于化学刻蚀，各向同性。

②自由基和反应原子或原子团的化学性质非常活泼，它们构成了等离子体的反应元素，自由基、反应原子或原子团与被刻蚀的材料进行化学反应形成了等离子体刻蚀。

侧向溅射，利于表面平坦化；

能否形成侧壁聚合物取决于所使用的刻蚀气体类型。;18;19;20;21;侧向溅射，利于表面平坦化；

③等离子体中的反应正离子在自偏置电场中加速得到能量轰击样片表面，这种离子轰击不仅对样片表面有一定的溅射作用形成物理刻蚀，而且提高了表面层自由基和反应原子或原子团的化学活性，加速与样片的化学反应。

大束径离子束刻蚀：束径10~20cm，效率高，质量???匀。

第十章干法刻蚀

高产额溅射（比单原子离子高出100倍以上）；

②自由基和反应原子或原子团的化学性质非常活泼，它们构成了等离子体的反应元素，自由基、反应原子或原子团与被刻蚀的材料进行化学反应形成了等离子体刻蚀。

刻蚀剖面各向异性，非常好的侧壁剖面控制

两种基本的刻蚀剖面:各向同性和各向异性刻蚀剖面

②反应室被设计成射频电场垂直于被刻蚀样片表面且射频电源电极（称为阴极）的面积小于接地电极（称为阳极）的面积时，在系统的电源电极上产生一个较大的自偏置电场。

Anisotropicetch-etchesinonlyonedirection

等离子体干法刻蚀系统的基本部件包括：发生刻蚀反应的反应室、一个产生等离子体的射频电源、气体流量控制系统、去除刻蚀生成物和气体的真空系统。

刻蚀偏差＝Wa－Wb

刻蚀系统的射频电场平行于硅片表面，不存在反应离子轰击，只有化学作用（仅在激发原子或活性气氛中进行刻蚀）。

刻蚀系统的射频电场平行于硅片表面，不存在反应离子轰击，只有化学作用（仅在激发原子或活性气氛中进行刻蚀）。

把光刻胶图形精确地转移到硅片上，最后达到复制掩膜版图形的目的。

终点检测的常用方法：光发射谱法

刻蚀剖面各向异性，非常好的侧壁剖面控制

RIE（ReactiveIonEtch）机理

RIE:物理刻蚀+化学刻蚀

用化学或物理的方法有选择地去除不需要的材料的工艺过程称为刻蚀。;23;24;25;26;27;28;29;30;31;32;33