CdS低维纳米材料的自旋极化及光电性质的研究的开题报告.docxVIP

CdS低维纳米材料的自旋极化及光电性质的研究的开题报告

1.研究背景和意义：

CdS是一种重要的半导体材料，具有广泛的应用前景。近年来，低维纳米材料吸引了广泛的关注，并成为CdS研究的热点。低维纳米结构具有独特的电子结构和物理性质，这些性质与材料的自旋极化和光电性质密切相关。因此，研究CdS低维纳米材料的自旋极化和光电性质具有重要的理论和应用价值。

2.研究内容：

本论文将研究CdS低维纳米材料的自旋极化和光电性质。具体研究内容包括以下几个方面：

（1）基于密度泛函理论，研究CdS纳米带、纳米线和纳米片等低维纳米结构的电子结构和自旋极化；

（2）探究CdS低维纳米材料的光学性质、电子输运性质、光电转换效率等物理性质；

（3）通过理论计算和实验研究相结合的方法，对CdS低维纳米材料中自旋极化和光电性质的相互关系进行深入探究。

3.研究方法：

本研究采用密度泛函理论结合量子输运理论的方法，对CdS低维纳米材料进行计算模拟，并通过实验手段进行验证。具体研究方法包括以下几个方面：

（1）采用VASP软件对CdS纳米带、纳米线和纳米片等低维纳米结构的电子结构和自旋极化进行计算模拟；

（2）基于DFTB+软件，计算CdS低维纳米材料的光学性质和电子输运性质；

（3）通过制备CdS低维纳米材料样品，采用光学谱学、拉曼光谱学、电子输运性质测试等实验手段进行验证，以更加准确地确定其自旋极化和光电性质。

4.预期成果：

通过上述研究方法，本论文预期取得以下成果：

（1）研究CdS低维纳米材料的自旋极化和光电性质，深入探究其中的相互关系；

（2）获得CdS低维纳米材料的光学谱学、拉曼光谱学和电子输运性质等实验数据，并证明理论计算结果的可靠性；

（3）为CdS低维纳米材料的制备和应用提供理论和实验依据，具有重大的理论和应用意义。

5.论文结构：

本论文拟分为以下几个部分：绪论、CdS低维纳米材料的理论研究、CdS低维纳米材料的实验研究、总结与展望、参考文献等。其中理论研究和实验研究应紧密结合，突出研究创新点，并与综述和总结联系起来，形成链状论证结构。