中国衬底材料行业竞争格局及重点企业分析.doc

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中国衬底材料行业竞争格局及重点企业分析

内容概要:近年来,国家和政府加大对衬底材料的研发扶持力度,行业发展提速显著。山西烁科作为首家宣布可制备8英寸碳化硅衬底的企业,在2021年8月,成功研制出8英寸碳化硅晶体,到2022年1月,山西烁科实现8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产。截止2022年11月,晶盛机电、天岳先进、天科合达分别宣布掌握了8英寸碳化硅衬底制备技术。随着我国衬底材料行业的持续发展,生产技术的不断优化,8英寸等大直径衬底材料的逐步量产,我国衬底厂商有望打破大尺寸衬底垄断格局,实现与海外厂商的同步发展,加快衬底材料的国产化进程。

关键词:衬底材料竞争格局、天岳先进、天科合达

一、国内衬底材料市场竞争格局:市场高度集中,国内厂商有望实现国产替代

衬底材料是具有特定晶面和适当电学、光学和机械特性的用于生长外延层的洁净单晶薄片。碳化硅衬底是第三代宽禁带半导体的核心材料,以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点,具有开关速度快、效率高的优势,可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。碳化硅衬底主要有半绝缘型和导电型两大类,在半绝缘型碳化硅市场,目前主流的衬底产品规格为4英寸;在导电型碳化硅市场,目前主流的衬底产品规格为6英寸。

在碳化硅衬底市场中,行业高度集中,市场竞争较为激烈,海外龙头企业寡头垄断,国内企业加快研发进程,积极推进国产替代。美国wolfspeeed公司占据全球60%以上的市场份额,基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准,wolfspeeed在1991年打造第一片碳化硅衬底,1993年实现30mm衬底商用化,2015年推出8英寸碳化硅衬底,以行业领先的研发技术,位列市场第一梯队,占据绝大部分市场份额。

其他海外领军厂商如罗姆、II-VI、意法半导体等也相继开展衬底材料业务,到2021年已具备8英寸衬底的生产能力;国内企业起步较晚,研发进度相比国外企业较慢,天科合达和天岳先进作为我国衬底材料行业的领先企业,分别在2006年和2012年具备2英寸衬底的生产能力,到2021年,国内以逐步实现了6英寸碳化硅衬底产品的生产,主流厂商陆续着手研发8英寸的衬底样品。海外领军厂商和我国衬底行业龙头企业加快产品研发,产品在国际上的市占率也在持续提升。第三梯队是国内中小型衬底材料生产商,起步较晚,技术处于借鉴和完善阶段。

其他海外领军厂商如罗姆、II-VI、意法半导体等也相继开展衬底材料业务,到2021年已具备8英寸衬底的生产能力;国内企业起步较晚,研发进度相比国外企业较慢,天科合达和天岳先进作为我国衬底材料行业的领先企业,分别在2006年和2012年具备2英寸衬底的生产能力,到2021年,国内以逐步实现了6英寸碳化硅衬底产品的生产,主流厂商陆续着手研发8英寸的衬底样品。海外领军厂商和我国衬底行业龙头企业加快产品研发,产品在国际上的市占率也在持续提升。第三梯队是国内中小型衬底材料生产商,起步较晚,技术处于借鉴和完善阶段。

目前,国内碳化硅产业中衬底仍以4-6英寸为主。若将尺寸由6英寸提高到8英寸,碳化硅的单片面积将增大77.8%,可利用面积大大提高,大直径的衬底可以有效降低器件的制备成本,例如使用直径6英寸衬底相对直径4英寸的衬底,能够节省大约30%的器件制备成本。

近年来,国家和政府加大对衬底材料的研发扶持力度,行业发展提速显著。山西烁科作为首家宣布可制备8英寸碳化硅衬底的企业,在2021年8月,成功研制出8英寸碳化硅晶体,到2022年1月,山西烁科实现8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产。截止2022年11月,晶盛机电、天岳先进、天科合达分别宣布掌握了8英寸碳化硅衬底制备技术。随着我国衬底材料行业的持续发展,生产技术的不断优化,8英寸等大直径衬底材料的逐步量产,我国衬底厂商有望打破大尺寸衬底垄断格局,实现与海外厂商的同步发展,加快衬底材料的国产化进程。

二、重点企业分析:持续推进8英寸产品研发,稳步提升产品市场占比

1、天岳先进:深耕碳化硅衬底研发,加大研发投入推动技术创新

天岳先进成立于2010年,2020年11月天岳有限整体变更为股份有限公司,并于2021年12月在科创板成功挂牌上市。天岳先进自成立以来专注于第三代半导体碳化硅衬底产业,主营业务是宽禁带半导体碳化硅衬底的研发、生产和销售,主要产品包括碳化硅半绝缘型和导电型衬底,产品可应用于微波电子、电力电子等领域。目前,公司半绝缘型产品已批量供应至圈内碳化硅半导体行业的下游核心客户,同时已被国外知名的半导体公司使用,在导电型碳化硅衬底领域,公司6英寸产品已送样至多家国内外知名客户,并于2019年中标国家电网的采购计划。

天岳先进所生产的半绝缘型碳化硅衬底,通过在产品上生成氮化镓外延层,制得碳化硅基氮化镓外延片,可以进一步制成HEM

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