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自旋电子学在只读存储中的应用

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第一部分磁阻式随机存取存储器（MRAM）的基本原理 2

第二部分自旋转移扭矩磁阻式存储器（STT-MRAM）的写入机制 4

第三部分垂直磁阻式存储器（VMRAM）的工作原理 6

第四部分磁性隧道结（MTJ）在只读存储中的应用 8

第五部分自旋电子学在可切换磁电阻（CMR）存储器中的作用 11

第六部分自旋电子学在阻变式只读存储器（ReRAM）中的影响 14

第七部分自旋电子学在相变只读存储器（PCRAM）中的应用 16

第八部分自旋电子学对只读存储器未来发展的启示 19

第一部分磁阻式随机存取存储器（MRAM）的基本原理

关键词

关键要点

磁阻式随机存取存储器（MRAM）的基本原理

主题名称：磁性隧道结（MTJ）

1.由两个磁性层（通常是铁磁材料）和一个中间绝缘层组成。

2.当施加电压时，自旋取向相反的磁性层之间的电阻会发生变化。

3.这称为隧道磁阻效应，用于在MRAM中存储数据。

主题名称：磁极化

自旋电子学在只读存储中的应用

磁阻式随机存取存储器（MRAM）的基本原理

磁阻式随机存取存储器（MRAM）是一种非易失性存储器，利用自旋极化的电流在磁性材料中产生磁阻效应来存储信息。其基本原理如下：

自旋极化电流

自旋极化电流是指其电子自旋态相对于多数自旋态不均匀分布的电流。自旋极化可以通过各种方法产生，例如自旋注入器、自旋阀或磁隧道结。

磁性材料

MRAM使用铁磁性或反铁磁性材料作为存储元件。这些材料具有非零的磁矩，并且可以被外部磁场极化。

磁阻效应

磁阻效应是指材料的电阻率随其磁化强度的变化。在铁磁性材料中，两个自旋相同区域之间的阻力低于两个自旋相反区域之间的阻力。

MRAM存储单元

MRAM存储单元通常由以下组件组成：

*自由层：一个薄的磁性层，其磁化状态可以由自旋极化电流改变。

*固定层：一个厚的磁性层，其磁化状态相对稳定。

*隧道势垒：绝缘层，将自由层和固定层隔开。

写入操作

要写入数据，自旋极化电流通过存储单元。根据电流的方向，自由层会被极化为平行或反平行于固定层。这会改变存储单元的磁阻，从而表示0或1的逻辑值。

读取操作

要读取数据，通过存储单元发送一个不极化的电流。存储单元的磁阻取决于自由层和固定层的相对磁化状态。通过测量电流强度，可以确定逻辑值。

MRAM的优点

*非易失性：断电后仍保留数据。

*高速度：写入和读取速度快。

*低功耗：写入和读取操作仅需要少量电流。

*耐用性：具有很高的写入和擦除循环耐久性。

*面积效率：存储单元面积小，可实现高密度存储。

MRAM的缺点

*成本：比其他非易失性存储器更昂贵。

*温度敏感性：对温度变化敏感。

*写干扰：写入一个存储单元可能会影响相邻存储单元。

应用

MRAM因其独特的优点而在各种应用中具有潜力，包括：

*移动设备

*汽车电子

*工业控制

*航天航空

*可穿戴设备

第二部分自旋转移扭矩磁阻式存储器（STT-MRAM）的写入机制

关键词

关键要点

【自旋转移扭矩（STT）效应】

1.STT效应是指在磁性材料中，自旋极化电流施加到铁磁材料上时，可以产生磁矩扭转的效果。

2.这种扭转力是由自旋轨道耦合引起的，自旋轨道耦合是自旋和材料晶格之间的相互作用。

3.STT效应的大小取决于电流密度、磁性材料的磁化特性和材料几何形状等因素。

【写电流方向】

自旋转移扭矩磁阻式存储器（STT-MRAM）的写入机制

STT-MRAM的写入机制基于自旋转移扭矩（STT）效应，该效应是指在自旋极化电流通过磁性材料时，自旋流会对材料中的磁矩产生扭矩。STT-MRAM的写入过程涉及以下步骤：

1.自旋极化电流的产生

写入操作从产生自旋极化的电流开始。自旋极化电流可以通过多种技术实现，包括磁隧道结（MTJ）和自旋阀。

2.自旋极化电流通过MTJ

自旋极化的电流流过由两个铁磁层和一个绝缘层组成的MTJ。铁磁层之一被称为自由层，因为其磁化方向可以被外部磁场或STT效应改变。另一个铁磁层称为固定层，其磁化方向固定。

3.STT的产生

当自旋极化的电流通过MTJ时，自旋流会与自由层的磁矩相互作用，产生STT。STT扭矩的方向取决于电流的极性。

4.自由层磁化反转

如果STT的扭矩足够强，它将克服自由层的磁化能垒，导致自由层的磁化方向反转。这是写入比特操作的关键步骤。

5.磁阻状态变化

自由层的磁化反转会导致MTJ的磁阻发生变化。当自由层和固定层的磁化方向平行时，MTJ处于低磁阻状态。当它们的磁化