SJ_T 11849-2022 半导体分立器件3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率晶体管详细规范.docxVIP

ICS31.080.30CCSL42

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T11849—2022

半导体分立器件

3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率

晶体管详细规范

Semiconductordiscretedevices

DetailspecificationforsiliconNPNhighfrequencylowpowertransistor

of3DG3500and3DG3501

2022-10-20发布2023-01-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

SJ/T11849—2022

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规

定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)提出并归口。

本文件起草单位：石家庄天林石无二电子有限公司、中国电子技术标准化研究院、北京微电子技术研究所。

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SJ/T11849—2022

半导体分立器件3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率晶体管详细规范

1范围

本文件规定了3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率双极型晶体管(以下简称器件)的详细要求。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可沙的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适角于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本》包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T2426.22-2018环境试验第2部分：试验方法试验Q密封

GB/T4587÷994半导体分立器件和集成电路第7部分W双极型晶体管

GB/T589.T-2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范

GB/T4937+1995半导体器件一机械和气候试验方法

GB/I493714-2018半导体器件机械和气候试验方法第14部分：引出强度(引线牢固度)

GB/T493713-2018半导体器件机械和气候试验方法第15部分：通孔安装器件的耐焊接热

GBt4937.21—2018半导体器件一机械和气候试验方法第21部分：可焊性

GBT7681+1987半导体分立器件外形尺寸GBT260-1999半导体器件分立器件分规范

3术语和定义

本文件没石界定的术语和定义。

4要求

4.1总则

器件应符合本文件的所有规定。

质量评定类别符合OB/T4589个-2006和GB/T12560=1999的规定。质量评定类别为Ⅱ类。

4.2设计、结构和外形尺寸

4.2.1器件设计、结构

芯片采用硅外延平面结构，封装采用金属气密式封装。

4.2.2外形尺寸

外形符合GB/T7581—1987中A3—02B型的规定。外形图见图1,外形尺寸见表1。

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SJ/T11849—2022

1.发射极，2.基极，3.集电极

图1外形图表1外形尺寸

单位为毫米

符号

尺寸数值

最小

标称

最大

A

6.10

6.58

Φa

5.08

Φb?

—

1.01

Φb?

0.407

0.508

φD

8.64

9.65

φD

8.01

8.50

j

0.712

0.787

0.863

K

0.64

1.14

L

12.50

25.00

L?

1.27

4.3最大额定值和电特性

4.3.1最大额定值

最大额定值见表2。除非另有规定，Ta=25℃。

表2最大额定值

参数

符号

数值

单位

最小值

最大值

工作环境温度

Ta

-55

125

℃

贮存温度

Tstg

-65

200

℃

最大集电极-基极直流电压

VCBO

150

V

最大集电极-发射极直流电压

VcEO

150

V

3

SJ/T11849—2022

表2(续)

参数

符号

数值

单位

最小值

最大值

最大发射极-基极直流电压

VEBO

6

V

最大集电极直流电流

ICM

300

mA

最大总耗散功率

Pot

1000

mW

最高结温

TM

200

℃

结-环境热阻

Re(

175

℃/W

4.3.2电特性

电特性见表3。