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LITEONLITE-ONSEMICONDUCTORCORP.DISCRETEDIVISION失效分析步骤与方法--徐勤伟06年5月QRADEPARTMENT

LITEONLITE-ONSEMICONDUCTORCORP.DISCRETEDIVISION内容提要?基本概念?失效分析的目的和作用?失效分析的一般步骤?失效分析技术介绍?失效机理的分析?案例?注意事项?QA

LITEON一、基本概念LITE-ONSEMICONDUCTORCORP.DISCRETEDIVISION?失效–器件性能发生剧烈的或是缓慢的变化,这些变化达到一定程度,器件不能正常工作,这种现象叫做失效。?失效模式–指失效的表现形式，一般指器件失效时的状态，如开路、短路、漏电或参数漂移等。

LITEONLITE-ONSEMICONDUCTORCORP.DISCRETEDIVISION?失效模式的分类–按失效的持续性?致命性、间歇性、缓慢退化–按失效时间?早期失效、随机失效、磨损失效–按电测结果?开路、短路、漏电、参数漂移

LITEONLITE-ONSEMICONDUCTORCORP.DISCRETEDIVISION?失效机理–失效的物理和化学根源叫失效机理。?物理和化学根源包括：环境、应力和时间，环境和应力包括温度、湿度、电、机械等?失效的物理模型–应力-强度模型?认为失效原因是由于产品所受应力超过其极限强度，此模型可解释EOS、ESD、Bodycrack等。–应力-时间模型?认为产品由于受到应力的时间累积效应，产品发生化学反应，微观结构发生变化，达到一定程度时失效，此模型可解释材料的欧姆接触电阻增大，电压随时间衰降，焊接部分的热疲劳现象等。

LITEON二、失效分析的目的及作用LITE-ONSEMICONDUCTORCORP.DISCRETEDIVISION?目的–找出器件失效的物理和化学根源，确定产品的失效机理?作用–获得改进工艺、提出纠正措施，防止失效重复出现的依据–确定失效的责任方，避免不必要的损失赔偿–评估产品的可靠度

LITEONLITE-ONSEMICONDUCTORCORP.DISCRETEDIVISION三、一般步骤?1、收集失效数据?2、烘焙?3、测试并确定失效模式?4、非破坏性分析?5、DE-CAP?6、失效定位?7、对失效部分进行物理化学分析?8、综合分析，确定失效原因，提出改善措施

LITEONLITE-ONSEMICONDUCTORCORP.DISCRETEDIVISION1、失效数据收集?作用：根据失效现场数据估计失效原因和失效责任方?失效现场数据的内容?失效环境：潮湿、辐射?失效应力：过电、静电、高温、低温、高低温?失效发生期:早期、随机、磨损?失效历史：以往同类器件的失效状况

LITEONLITE-ONSEMICONDUCTORCORP.DISCRETEDIVISION2、烘焙?对于一些经过潮湿环境下失效，或从其电性上表现为漏电大或不稳定的器件，有必要进行烘焙后测试?方法：–温度：150℃常压–时间：4小时以上

LITEONLITE-ONSEMICONDUCTORCORP.DISCRETEDIVISION3、电性测试及确定失效模式?不同与质量检验为目的的测试，采用非标准化的测试方法，可以简化．?包括引脚测试和芯片测试两类?可以确定失效的管脚和模式，但不能确定失效的确切部位

LITEONLITE-ONSEMICONDUCTORCORP.DISCRETEDIVISION4、非破坏性分析?定义：不必打开封装对样品进行失效分析的方法，一般有：–显微镜的外观检验–X-RAY检查内部结构–C-SAM扫描内部结构及分层

LITEONLITE-ONSEMICONDUCTORCORP.DISCRETEDIVISION5、DE-CAP分析?步骤一：去黑胶配比：发烟HNO：HSO=3：1324加热时间：煮沸后5-10分钟（根据材料大小）注意：酸液不能超过烧杯的规定刻度，以防加热过程酸液溅出来?显微镜观察焊接件结构，芯片的外观检查等?烘烤后测试

LITEONLITE-ONSEMICONDUCTORCORP.DISCRETEDIVISION?步骤二：去铜?配比浓硝酸?加热时间：沸腾后3-5分钟离开电炉至铜反应完注意：加热沸腾比较剧烈，加酸液的液面不要超过烧杯的规定刻度，?显微镜观察，焊锡的覆盖面积、气孔、位置、焊锡颗粒，芯片Crack等

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