南昌大学-半导体物理题库.docxVIP

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  • 2024-07-22 发布于四川
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半导体物理题库

计算题

若两块Si样品中的电子浓度分别为2.25×1010cm-3和6.8×1016cm-3,试分别求出其中的空穴的浓度和费米能级的相对位置,并判断样品的导电类型。假如再在其中都掺入浓度为2.25×1016cm-3的受主杂质,这两块样品的导电类型又将怎样?

假设Si中空穴浓度是线性分布,在4μm内的浓度差为2×1016cm-3,试计算空穴的扩散电流密度。

某一维晶体的电子能带为,其中E0=3eV,晶格常数a=5х10-10m。求:能带宽度以及能带底和能带顶的有效质量。

光均匀照射在6的n型Si样品上,电子-空穴对的产生率为4×1021cm-3s-1,非平衡载流子寿命为8μs。试计算光照前后样品的电导率。

含受主浓度为8.0×106cm-3和施主浓度为7.25×1017cm-3的Si材料,试求温度为300K时此材料的载流子浓度和费米能级的相对位置。

Si样品中的施主浓度为4.5×1016cm-3,试计算300K时的电子浓度和空穴浓度各为多少?

0.12kg的Si单晶掺有3.0×10-9kg的Sb,设杂质全部电离,试求出此材料的电导率。(Si单晶的密度为2.33g/cm3,S

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