场效应晶体管及其应用资料课件.pptVIP

场效应管及其应用1

场效应管及其应用三极管是电流控制元件，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。场效应管是电压控制元件,多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。N沟道P沟道增强型绝缘栅场效应管N沟道P沟道耗尽型场效应管N沟道结型场效应管P沟道2

一、绝缘栅场效应管一、结构和电路符号SGD金属铝两个N区DSNNGPP型基底SiO绝缘层2导电沟道N沟道增强型3

在栅极下方的SiO层中掺入了大量的金属正离子。所以2当u=0时，这些正离子已经感应出了沟道.GSDSGDGSNNPN沟道耗尽型预埋了导电沟道4

DSSGDGPPNP沟道增强型5

SGDDSPPGN预埋了导电沟道P沟道耗尽型6

绝缘栅型场效应管结构、符号7

绝缘栅型场效应管结耗尽型：U=0时漏、源极之间已经存在原始导电沟道。GS增强型：U=0时漏、源极之间才能形成导电沟道。构、GS无论是N沟道MOS管还是P沟道MOS管，都只有一种载流子导电，均为单极型电压控制器件。符号MOS管的栅极电流几乎为零，输入电阻R很高GS8

二、MOS管的工作原理以N沟道增强型为例U=0时GSUDSUGSID=0对应截止区SGDNND-S间相当于两个反接的PN结P9

U足够大时（GSUV）将GSGS(th)P区少子电子聚集到P区表面，形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。U0时GSUDSUGSSGDNN感应出电子PV称为电压开启GS(th)10

U较小时，导GSUDS电沟道相当于电阻将D-S连接起UGS来，U越大此GS电阻越小。SGDNNP11

三、增强型N沟道MOS管的特性曲线转移特性曲线输出特性曲线i=f(uGS)?uDS=常数DUGS(th)12

N沟道增强型场效应管的特性曲线增强型场效应管不存在原始导电沟道，U=0时场效应GS管不能导通，I=0。U0时会产生垂直于衬底表面的电DGS场。P型衬底与绝缘层的界面将感应出负电荷层，U增加，GS负电荷数量增多，积累的负电荷足够多时，两个N+区沟通，形成导电沟道，漏、源极之间有I出现。在一定的漏、源D电压U下，使管子由不导通转为导通的临界栅、源电压称DS为开启电压U。UU时，I=0；UU时，GS(th)GSGS(th)DGSGS(th)随U的增加I增大。GSD13

N沟道增强型MOS管的基本特性u＜U，管子截止GS(th)GSu＞U，管子导通GS(th)GSuGS越大，沟道越宽，在相同的漏源电压u作用下，漏极电流I越大DSD14

四、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线耗尽型的MOS管U=0时就有导电沟道，加反向GS电压才能夹断。ID转移特性曲线UGS0VGS(off)15

输出特性曲线IDU0GSU=0GSU0GSUDS016

N沟道耗尽型场效应管的特性曲线耗尽型场效应管存在原始导电沟道，U=0时漏、源极之GS间就可以导电。这时在外加电压U作用下的漏极电流称为漏DS极饱和电流I。U0时沟道内感应出的负电荷增多，沟道DSSGS加宽，沟道电阻减小，I增大。U0时会在沟道内产生出正DGS电荷与原始负电荷复合，沟道变窄，沟道电阻增大，I减小。DU达到一定负值时，沟道内载流子全部复合耗尽，沟道被夹GS断，I=0，这时的U称为夹断电压U。DGSGS(off)17

漏极特性曲线分析在虚线左边的区域内，漏、源电压U相对较小，DS漏极电流I随U的增加而增加，输出电阻r较小，DSoD且可以通过改变栅、源电压U的大小来改变输出GS电阻r的阻值，这一区域称为可变电阻区。在虚线o右边的区域内，当栅、源电压U为常数时，漏极GS电流I几乎不随漏、源电压U的变化而变化，特性DDS曲线趋于与横轴平行，输出电阻r很大，在栅、源o电压U增大时，漏极电流I随U线性增大，这一DGSGS区域称为放大区。18

一个重要参数——跨导gmgm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。在转移特性曲线上，g为的曲线的斜率。m在输出特性曲线上也可求出g。m19

场效应管的漏极电流I受栅、源电压U的DGS控制，即I随U的变化而变化，所以场效应管DGS是一种电压控制器件。跨导g表示：m20

N沟道耗尽型MOS管的特点当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有i。D当uGS＞0时，沟道增宽，i进一步增加。D当uGS＜0时，沟道变窄，i减小。D21

小结(1)场效应管放大器输入电阻很大。(2)场效应管共源极放大器(漏极输出)输入输出反相，电压放大倍数大于1；输出电阻=R。D(3)场效应管源极跟随器输入输出同相，电压放大倍数小于1且约等于1；输出电阻小。22