蚀刻常见defect及处理方法.pptxVIP

蚀刻常见defect及处理方法;;Bowing;Bowing结构：sidewall弯曲形貌。典型profile见下图A;Bowing产生原理：

①离子反射：随着刻蚀的进行，Mask被不断消耗，Mask厚度及角度的变化会导致掩蔽能力不足，致使离子轰击后路径改变形成bowing；

②阳离子在鞘层与中性离子的撞击使得阳离子的垂直行进方向改变，从而撞击到sidewall，导致bowing；

③过程中O2过多，Etchrate过快，Profile不易控制或者Sidewallpolymer被清掉，不能形成有效的侧壁保护，导致bowing；

④所用gaspolymer易在顶部沉积。Bowingprofile的产生原理见图B：

;Bowing解决/改善方法：

①阳离子从mask边缘溅射，是否能够导致bowing取决于被阳离子轰击的洞口的mask边缘所形成的刻面的角度（Facetangle）。而mask转角之所以会形成angle，可能是因为所选用gas组合对mask选择比不够或者离子轰击太强导致

②离子在鞘层中的运动：Plasma鞘层内离子的方向性及其对process的影响。此种情况降低工艺压力。

③针对O2flow过大：

1）降低O2的含量；

2）增大其他工艺气体与O2的比例（变相降低O2比例）；

3）降低Chamber温度，从而降低O2与被刻膜层或polymer的反应速度

;Bowing措施：

1）升温以降低C在顶部的附着几率，同时也能使得C能够进入孔洞内部；

2）增大辅助gas（如Ar）流量，以降低plasma中粒子在Chamber中的residencetime，从而抑制C4F8或C4F6的解离，进而增大CF2在plasma中浓度

;Taper;Taper结构：梯形形貌。典型profile见下图C：;Taper产生原理：

Sidewall保护过度导致;Notch;Notch结构：凹槽形貌，表现为layer与layer交界处出现横向刻蚀/缺口，典型profile见下图E：;Notch产生原理：

①对stoplayer选择比过高导致；

②底部电荷积累，绝缘层表面聚集的电荷产生电场，高能离子被电场吸引发生横向偏移，导致Notch。;Undercut;Undercut结构：指Mask到结构层侧壁的刻蚀，是造成线宽损失（CDLoss）的主要原因，在某些特定的刻蚀条件下，采用氧化层Mask进行深槽刻蚀产生的底切会比采用光刻胶Mask刻蚀产生的底切更显著.;Undercut产生原理：

①Bosch工艺进行刻蚀的过程中，前几个循环周期内刻蚀气体SF6的各向同性刻蚀作用使得槽口处容易出现底切，其大小及方向取决于刻蚀/保护气体的通入顺序、压力等工艺参数；

②Physicsetch较弱，sidewall保护不够，导致各向异性差。;Footing;Footing结构：突脚形貌，典型profile见下图G：;Footing产生原理：

①工艺过程中物理轰击能力减弱，化学刻蚀反应增强而产生的；

②Mask（光刻胶或氧化层等HM）profile不佳、sidewallroughness也可能导致刻蚀过程中形貌被复制，造成footing。;Necking;Necking结构：颈缩：一般表现为深槽偏上方sidewall的缺陷，通常出现在近表面处。典型profile见下图H：;Necking产生原理：

①Gasratio不佳，导致polymer在顶部沉积或sidewall保护不足；

②掩模被不断消耗，掩模厚度及角度的变化会导致深槽近表面处掩蔽能力不足

③阳离子在鞘层与中性离子的撞击使得阳离子的垂直行进方向改变，从而撞击到顶部sidewall形成necking。;Loadingeffect;Loadingeffect结构：指局部刻蚀气体的消耗大于供给引起的刻蚀速率下降或分布不均匀的效应，反应物的耗尽是负载效应的根本原因。;Loadingeffect产生原理：

在Densearea，反应物消耗的快/多，造成供给失衡，etchrate变慢；Isoarea反应物充足，etchrate快于densearea，从而造成整体刻蚀深度的不均匀分布;第一PPT